韩方向美方提交《芯片法》相关意见，涵盖三星与SK海力士（综合）

by Kim Pyeonghwa

by Kwon Haeyoung

Published 24 May.2023 10:26(KST)

韩国政府向美国商务部提交《芯片法》意见书
韩国半导体产业协会汇总业界意见提出要求
另外提交意见的三星电子要求改进相关用语

韩国政府和半导体业界已向美国商务部提交了正式意见书，其中包含尽量将我国企业因美国《芯片与科学法案》“护栏条款”（安全装置）受到的损失降到最低的内容。意见书要求，将有资格获得美国半导体补贴的我国企业在中国境内可扩张半导体产能的上限扩大一倍，并尽量减少损害营业机密的过度资料提交要求。

当地时间23日，美国政府通过联邦公报表示，已收到韩国政府就今年3月公布的《芯片与科学法案》护栏条款细则草案提交的正式意见书。在登载于联邦公报的公开版本意见书中，韩国政府表示，“护栏条款在执行过程中不应给在美国投资的企业施加不当负担”。

韩国政府要求美方重新审视其规定中“实质性扩张”和“老旧半导体”等核心术语的既有定义，并要求明确所谓“技术回收”条款所限制的活动范围。按照该条款，如与中国的受关注企业开展联合研究或签订技术许可（专利使用协议），则需返还补贴。

三星电子半导体工厂所在的平泽园区生产线内部景象 / 三星电子提供图片由韩联社提供

据半导体业界分析，韩国政府此次是要求将尖端半导体“实质性扩张”的上限，从现行的5%提高到两倍的10%。

美国政府此前通过护栏规定明确，获得补贴的企业在此后10年内，如在中国等“令人担忧国家”通过重大交易“实质性扩张”半导体产能，则必须全额返还补贴。规定还限制尖端半导体产能扩张不得超过5%，上一代老旧半导体不得超过10%。美国商务部对老旧半导体的定义为：逻辑（系统）半导体为28纳米（十亿分之一米）及以上；动态随机存取存储器（DRAM）为18纳米以上；闪存（NAND Flash）为128层以下等。

如果此次韩方诉求得到采纳，在中国开展业务的三星电子和SK海力士即便获得美国政府补贴，也能在中国生产更多半导体。

韩国国内半导体业界也向美国提交了意见书。韩国半导体产业协会汇总业界意见，正式请求将技术回收条款中的专利使用协议内容删除。协会还说明，若禁止与“令人担忧国家”签订专利使用协议，将会妨碍企业日常交易，并在战略上使获得补贴的企业处于不利地位。同时还主张，应允许根据补贴发放前已签订合同而与“令人担忧国家”开展的联合研究等活动。