韩国要求美方：允许在中国将芯片产量提高最多10%

by Kwon Haeyoung

Published 24 May.2023 08:08(KST)

Updated 24 May.2023 08:31(KST)

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韩国政府向美国商务部提交《芯片法》护栏条款意见书

韩国政府已请求美国政府，将根据美国《芯片与科学法案》（CSA）获得补贴的韩国企业在中国扩大半导体产能的允许范围提高一倍。

图片来源 Getty Images 提供

根据23日（当地时间）美国政府联邦公报，韩国政府向美国商务部提交意见书，主张称，“不得以给在美国投资的企业施加不当负担的方式来执行‘护栏（安全装置）条款’”。

这是就美国商务部今年3月公布的《芯片法》护栏条款细则草案正式提交的意见。

政府表示，“请求美方重新审视其提出的规章中关于‘实质性扩张’和‘成熟制程半导体’等核心术语的现行定义。”同时要求进一步明确所谓“技术回收”条款所限制的活动范围。按照该条款，如与被美国视为中国敏感企业开展联合研究、签订技术许可（专利使用合同）等合作，企业将被要求返还补贴。

政府说明称，“我们将就上述重要事项如何解决向美方提交详细意见”，“韩国请求美政府在最终敲定护栏条款细则时，积极考虑韩方意见”。

在公开版本中，政府并未就要求重新界定“实质性扩张”和“通用（成熟制程）半导体”的定义作出具体说明。但舆论普遍解读为，希望在三星电子和SK海力士领取美国政府补贴的同时，仍能在中国生产更多半导体。

美国政府通过护栏规定明确指出，获得补贴的企业如在此后10年内，在中国等“令人担忧国家”通过重大交易“实质性扩张”半导体产能，则须全额返还补贴。相关规定还限制，尖端半导体产能扩张幅度不得超过5%，上一代成熟制程半导体不得超过10%。据悉，韩国政府已请求将尖端半导体“实质性扩张”的上限提高至10%。

韩国政府还要求放宽有关成熟制程半导体的判定标准。目前，美国商务部将逻辑芯片的28纳米（nm，十亿分之一米）、动态随机存取存储器（DRAM）的18纳米以及闪存（NAND Flash）的128层，定义为成熟制程半导体的界限。

另一方面，三星电子、SK海力士以及韩国半导体产业协会也向美国商务部提交了意见。三星电子就补贴回收条款建议商务部对部分术语予以明确或修订。

美国商务部已于前一日截止受理意见，今后将对相关内容进行审查，计划在年内公布最终规章。

本报道由人工智能(AI)翻译技术生成。