产业通商资源部表示，将就美国商务部在《芯片与科学法案》激励计划中设置的“护栏条款”继续就细则进行协商。
产业部于1日发布新闻参考资料，介绍了美国政府公告的针对半导体制造设施的财政激励申请程序，并作出上述说明。
根据本次公告，支持对象为拟在美国境内投资建设或扩建实现半导体全工序或后工序制造设施的企业。这些企业可以通过补助金、贷款、贷款担保等方式获得支持。
有意申请激励的企业，可自2月28日（当地时间）起先向美国商务部提交意向书。随后，最尖端制造设施可自本月31日起提交正式申请，其余现世代、成熟制程或后工序制造设施则可自6月26日起提交正式申请。
在接到企业申请后，美国商务部将从▲经济与国家安全 ▲投资计划的商业可行性 ▲申请企业的财务状况及投资履行能力 ▲人力开发及其他外溢效应等方面，对企业提交的申请进行综合审查。此后，再与企业开展深入讨论与谈判，最终确定激励支持的规模和方式等。
但根据相关条款，企业必须签署协议，在今后10年内限制在中国等被视为存在安全忧虑国家的半导体产能扩张投资。相关细节将由美国政府日后另行公布。
产业部相关负责人表示，“对于包括护栏条款在内、可能给我方企业经营带来过度负担的事项，我们一直在与业界讨论应对方案后，积极向美国商务部等相关当局阐明我方立场”，“在制定护栏细则的过程中，为使我方企业的立场能够得到充分反映，今后也将继续同美国相关当局保持协商”。
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