“PLUS Global HBM半导体”年度收益率居首…达481.23%

据悉，韩华资产运用的“PLUS Global HBM半导体”交易型开放式指数基金（ETF）在国内上市的半导体ETF中（不含杠杆及反向产品）录得最高年度收益率。

7日据韩华资产运用介绍，截至前一日，“PLUS Global HBM半导体”的年度收益率（按基金资产净值计算）为481.23%。在韩国上市的半导体ETF中，剔除杠杆及反向产品，这是最高水平。该ETF是一款将约75%至80%资金集中投资于三星电子、SK海力士和美光这三家全球存储半导体企业的产品。

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“PLUS Global HBM半导体”ETF在本月的定期再平衡中，将投资组合扩展至NAND闪存和存储设备领域。本次再平衡中，新纳入了闪迪（4.3%）、Teradyne（1.4%）和Techwing（0.5%）。

韩华资产运用相关人士表示：“本次再平衡的核心在于通过纳入闪迪，扩大对NAND的敞口。”NAND近期因与激增的人工智能（AI）数据处理量相结合而备受关注。

这一变化源于大型语言模型（LLM）在生成回答时所利用的“KV缓存”急剧增加。KV缓存是指LLM运行过程中产生的中间计算值。这些数据会依次经过HBM和DRAM，再顺序写入固态硬盘（SSD）。近几年AI服务用户数量爆发式增长，需要处理的KV缓存规模也随之扩大，结果是用于承载这些数据的NAND型SSD需求也在急剧攀升。

设备相关个股也在同一逻辑下进行了重组。三星电子和SK海力士已公布计划，今年的资本支出将较去年大幅增加。新纳入的Teradyne是全球排名第二的半导体测试设备企业，向三星电子和SK海力士供货；Techwing则在全球存储芯片分选设备市场中占有超过60%的份额。

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韩华资产运用ETF事业本部长Geum Jeongseop表示：“通过本次再平衡，我们在维持通过三大存储厂进行HBM和DRAM投资的同时，通过闪迪获取了NAND敞口，并通过Teradyne和Techwing提高了对存储资本支出扩张周期的敏感度”，他还表示，“我们已经构建出一套能够抢先应对存储超级周期下一阶段行情的投资组合”。

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