三星电子去年R&D投资37万亿韩元 创历史最高规模

数据显示，三星电子去年在研究开发（R&D）方面投入了逾37万亿韩元资金。在半导体超级周期为业绩带来顺风的背景下，这被解读为其为在今年被视为最大“战场”的第6代高带宽存储器（HBM4）市场中抢占主导权所做的前期布局。

根据三星电子10日披露的2025年业务报告，去年三星电子的研发费用总额为37万7548亿韩元，同比前年的35万215亿韩元增加7.8%，创下年度历史新高。研发费用占销售额比重为11.3%，与前年的11.6%大致相当。以研发投入为基础，公司还取得了1万639件韩国专利和1万347件美国专利等知识产权。

韩联社

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在今年即将全面点燃战火的HBM4竞争来临之际，三星电子被认为已在相关技术开发上进行了大规模投资。三星电子在HBM4产品中采用了比竞争对手领先一代的10纳米级第6代（1c）动态随机存取存储器（DRAM）工艺，并于上月率先在全球启动HBM4量产出货，备受业内关注。该产品预计将搭载于英伟达的下一代人工智能（AI）芯片“Vera Rubin”上。

三星电子表示：“在动态随机存取存储器领域，我们将以人工智能市场中的新型图形处理器（GPU）及专用集成电路（ASIC）市场为目标，适时扩大具备性能竞争力的HBM4供应，积极响应客户需求”，“同时还将持续提高大容量DDR5、SOCAMM2、GDDR7等与人工智能相关产品的比重”。

三星电子去年在业内首次成功实现24Gb GDDR7动态随机存取存储器和被称为“最先进”的10纳米级第6代服务器用动态随机存取存储器的量产。在非存储领域，代工（半导体委托生产）事业部正以今年下半年实现2纳米（nm）工艺量产为目标推进开发。系统大规模集成电路（System LSI）部门方面，去年专注于提升移动应用处理器（AP）“Exynos 2600”的性能，使其中央处理器（CPU）运算性能较前代产品“Exynos 2500”最高提升39%。

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另一方面，调查显示，三星电子主要产品的全球市场占有率去年整体上升。电视的全球市场占有率为29.1%，较前年的28.3%有所提高；智能手机也由18.3%增至19.2%。不过，受去年第5代HBM3E业绩不振影响，动态随机存取存储器的市场占有率则由41.5%降至34%。

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