“坚守的三星电子散户目光聚焦”……赶上“半导体景气”的三星,营业利润会否首次突破20万亿韩元
通用DRAM价格创历史新高…HBM4市场进入成长期
在高带宽内存(HBM)需求扩大的同时,连通用DRAM价格也刷新历史最高纪录,市场关注三星电子是否将首次实现单季营业利润突破20万亿韩元。业内亦有期待认为,在先进和通用产品不再区分、整体存储器价格持续上行的背景下,今年半导体业务有望迎来前所未有的景气高峰期。
据业内4日消息,三星电子将于7日或8日发布去年第4季度的初步业绩。汇总最近1个月内发布报告的10家证券公司的预测结果显示,三星电子去年第4季度营业利润预计为18.993万亿韩元。其中约16万亿韩元以上被分析为来自负责半导体业务的DS部门,较上一季度的7万亿韩元大幅增加。
有观点认为,单季营业利润有可能首次突破20万亿韩元。最近发布报告的IBK证券将营业利润预期上调至21.746万亿韩元,市场预测正持续走高。
分析认为,这主要得益于DRAM、NAND闪存等通用存储器价格飙升,显著改善了盈利能力。根据市场调研机构DRAMeXchange的数据,通用PC用DRAM产品(DDR4 8Gb 1Gx8)的平均固定成交价从2024年底的1.35美元涨至去年底的9.3美元,接近7倍增长,仅在第4季度就上涨了32.9%。
DDR4价格突破9美元是自2016年6月开始调查以来首次。当时DDR4价格为2.94美元。已上市超过10年的产品价格上涨,原因在于供应不足。随着HBM等高性能DRAM需求激增,存储器供应商缩减了旧型号DRAM的产能(Capacity)。
三星电子在今年将成为存储器最大战场的HBM4产品上也证明了技术力的恢复。据悉,其从NVIDIA、Broadcom等企业获得了HBM4系统级封装(SiP)测试的最高评分。预计HBM4市场将随着NVIDIA下一代人工智能加速器Rubin于今年下半年推出而正式起飞。
近期面向中国市场重新开始供应NVIDIA旧款人工智能芯片也被视为一大利好。NVIDIA计划向中国企业大批量供应的H200芯片将搭载三星电子和SK海力士的HBM3E。
业内预测认为,三星电子今年将在HBM市场大幅缩小与SK海力士之间的市占率差距。三星电子去年在全球HBM市场的市占率为第1季度13%、第2季度15%、第3季度22%,预计今年将提升至30%以上。证券业界认为,得益于半导体业务的增长,三星电子今年全年营业利润有望突破100万亿韩元。
三星管理层也宣布半导体业务“复活”,并强调从根本上恢复技术实力。三星电子代表理事兼DS部门负责人(副会长)Jun Younghyun在本月2日的新年致辞中表示:“HBM4在客户中获得了‘三星回来了’的评价,展现了差异化的性能竞争力。”他还表示:“虽然去年在HBM业务恢复、晶圆代工(半导体委托生产)接单活动强化、影像传感器全球客户拓展等方面取得了成果,但这仅是恢复技术领导力的基石。”他强调称,从逻辑芯片到存储器、晶圆代工、先进封装,实现“单一窗口解决方案”的全球唯一半导体企业,应当引领人工智能时代。
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