[芯片Talk]下一代内存“Small Camp”走红…三星·SK·美光激战“三方大战”

by Park Joonyi

Published 17 Nov.2025 16:16(KST)

英伟达Rubin正式采用SoCAMP2
从美光独家变三强争霸
韩企打出供应稳定牌
AI景气中新型存储阵营崛起

随着人工智能（AI）开发竞争全面升温，被称为“SOCAMM（소캠）”的新市场正在开启。SOCAMM是英伟达以自有标准开发的下一代内存模组。围绕计划于明年上半年搭载在英伟达下一代AI加速器“Rubin（鲁宾）”上的低功耗双倍数据速率（DDR）模组SOCAMM，三大存储厂商之间的竞争日趋激烈。尤其是随着美光独家供应格局被打破，三星电子和SK海力士也迎来了机遇。

据业内17日消息，美光于上月22日（当地时间）向客户出货了SOCAMM2样品。这是三大存储厂商中首家公开SOCAMM2出货情况的企业。随后，三星电子和SK海力士也在同一天举行的“第27届半导体大展（SEDEX 2025）”上公开展示了SOCAMM2实物及规格，展开牵制。

“高性价比高性能”SOCAMM，同时兼顾效率与经济性

美光公开的SOCAMM2。美光提供。

SOCAMM与负责图形处理器（GPU）高性能运算的高带宽存储器（HBM）不同，其承担的是扩展AI GPU内存池的“辅助内存”功能。在提升效率的同时还能降低成本负担，被评价为在经济性方面也较为合理的替代方案。SOCAMM不仅在效率方面表现突出，在经济性方面同样具有优势，其价格约为HBM的25%至33%，即可满足高性能需求。虽然带宽不及HBM，但可构建大容量内存，因此在AI推理、个人AI电脑、企业级AI服务器等中端型号中具有较高的应用价值。一款AI加速器上可以同时搭载HBM和SOCAMM。

SOCAMM在功耗效率方面也具有优势。美光表示，其SOCAMM模组将与现有服务器用内存模组（RDIMM）相比的功耗降至约三分之一。三星电子则推出了与基于DDR5的DIMM相比，电源效率提升45%以上的SOCAMM模组。其价格同样明显低于HBM，属于将“高性能与经济性兼顾”作为核心价值的产品阵营。

目前，关于SOCAMM2的标准化工作也在推进中。美国电子工业协会（EIA）旗下国际半导体标准化组织（JEDEC）预计将很快通过理事会批准程序，正式宣布SOCAMM2的国际标准确定。

英伟达转向SOCAMM2…三星与SK加入战局

[芯片Talk]下一代内存“Small Camp”走红…三星·SK·美光激战“三方大战”

英伟达计划在明年推出的下一代中央处理器（CPU）“Vera（维拉）”中搭载SOCAMM。Vera将在同年发布的英伟达下一代AI加速器Rubin中担任“大脑”角色。英伟达原本计划在今年推出的AI加速器“GB300”系列中应用SOCAMM，但因技术问题将大规模订单时间推迟至明年，同时决定放弃既有的SOCAMM1（第一代SOCAMM），改为采用SOCAMM2（第二代SOCAMM）。

此前，英伟达计划几乎由美光独家供应SOCAMM1。但随着改为搭载SOCAMM2的方案，三星电子和SK海力士也获得了部分订单。在这一过程中，原本美光占据优势的格局被改写为三星电子、SK海力士与美光三家站在同一起跑线的“三强对决”。这意味着三星电子和SK海力士也获得了大批量供货的机会。

从各公司公开的规格来看，美光SOCAMM2容量为192GB，最高运行速度可达9.6Gbps。三星电子展示了8.5Gbps产品，SK海力士则展出了支持7.5Gbps至最高9.6Gbps的模组。运行速度是降低AI服务器瓶颈的重要因素，但速度越高，工艺难度和成本负担越大，因此各公司能否实现“良率稳定”被视为关键。

业内认为，三家公司在SOCAMM2量产准备方面大致处于同一水平。虽然美光率先开发出基于LPDDR5X的模组，但三星和SK海力士也依托LPDDR工艺经验和产能迅速做出应对。尤其是三星电子，将业内顶级的生产能力作为优势，强调供货稳定性。SK海力士也曾表示，计划在年内向客户供货。

“第二个HBM”市场会否开启

有观点认为，一旦SOCAMM2进入全面量产阶段，将在AI和数据中心领域崛起为新的存储支柱。根据市场调研机构Market Research Intelligence的数据，包括SOCAMM在内的全球低功耗动态随机存取存储器市场预计在2026年至2033年期间以年均8.1%的速度增长，规模将达到258亿美元（约合35.5万亿韩元）。