三星电子HBM4也接近通过Qual测试…与SK海力士双强格局正式形成
HBM4两强格局正式成形前景
三星押注基于1c工艺的HBM4争取“逆转”
美光加入战局…HBM4供应竞争加剧
在AI需求暴增背景下HBM4市场有望扩大
三星电子即将通过为供应第六代高带宽存储器（HBM）4而进行的英伟达质量测试。业内感受到公司内部对技术准备“事实上已经完成”的氛围；与此同时，SK海力士则表示，已早于三星电子完成与客户的供货协商，竞争格局正全面拉开。
4日，半导体业界一位相关人士表示：“三星电子的HBM4质量认证测试准备进展顺利，内部认为很快就会获得批准”，“预计明年将形成三星电子与SK海力士两强对峙的格局。”近期三星内部也传出“整体氛围与以前大不相同”的声音。此前HBM3E因发热和功耗问题导致交付延迟，但业界预计，HBM4将无大问题地通过包括英伟达在内的主要客户的质量测试。
三星电子的HBM4量产准备近期明显提速。三星电子在第三季度业绩电话会议上表示，已完成HBM4开发，并向所有客户出货样品。英伟达也在上月31日于亚太经济合作组织（APEC）领导人会议首席执行官（CEO）峰会记者会的新闻稿中，明确写明与三星电子建立了“HBM3E和HBM4供应合作”关系。
此前在今年3月早于三星电子宣布HBM4样品出货消息的SK海力士，在第三季度电话会议上公布，将从今年第四季度开始出货HBM4，并已与主要客户就明年HBM供应完成协商。据悉，在样品出货后仅用约6个月就完成量产准备，使其在客户质量测试中占据了有利位置。就此，SK海力士方面也在3日的新闻稿中强调称：“凭借HBM行业第一的技术实力，已经满足并响应客户要求的最高规格”，“明年计划正式扩大销售规模。”
三星电子的方针是要超越目前在HBM领域“独走”的SK海力士，自明年起扭转局面。尤其是，三星电子计划以比竞争对手更先进一级的1c DRAM（第六代10纳米级工艺）来开发HBM4，打出制胜一招。近期，三星电子还向为HBM4核心技术开发作出贡献的30名员工发放了价值4亿8139万韩元的自家股票作为激励。业界有说法称，这是向完成开发目标的1c DRAM开发团队发放的激励。
如果两家公司都能顺利通过英伟达的质量测试，预计将在今年第四季度至明年年初之间开始供应HBM4。英伟达计划在明年第一季度前完成将搭载于下一代人工智能（AI）加速器“鲁宾（Rubin）”系列上的HBM4最终质量测试。再加上计划在明年第二季度开始量产出货HBM4的美光（Micron）加入战局，HBM4景气周期在相当一段时间内有望持续。这与AI半导体需求激增相叠加，预计将在一段时间内为三星电子和SK海力士双方带来利好。英伟达CEO Jensen Huang强调称，对这两家公司而言，“为了英伟达的成长，我们需要两家公司的全部能力。”
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