用于电容器的“多级 TIK IMD”工艺
高击穿电压达业界顶尖水平
“将持续开发满足客户需求的工艺技术”
半导体代工（晶圆代工）企业 SK Key Foundry 23日表示，公司已推出面向电容器、具备业界最高水平“高击穿电压”的“多层厚 IMD”工艺。
高击穿电压可在数字隔离器中提升半导体器件的稳定性和可靠性，并改善寿命和抗噪声能力。本次 SK Key Foundry 推出的工艺，通过将厚度为6微米（μm）的绝缘膜（IMD）最多堆叠3层，实现总厚度18μm的“金属-绝缘体-金属”结构。由此可提供可承受最高1万9000伏电压的高击穿电压，以及高电容性能。业界评价认为，该工艺将大幅助力用于电子电路数字隔离和电容耦合隔断的电容器制造。
采用该工艺的电容器已通过主要客户的可靠性测试（时间相关介质击穿试验），并满足在严苛环境下评价工作可靠性的 AEC-Q100 车用半导体国际质量标准等级要求。尤其是该工艺可集成应用于0.13微米/0.18微米 BCD 工艺技术中，预计将在车用半导体领域得到广泛应用。
公司还表示，为支持客户快速进行产品开发，将同步提供 PDK、DRC、LPE、LVS、Pcell 等多种设计支持工具。
SK Key Foundry 还称，此次推出的数字隔离技术，在电动汽车、工业、通信、医疗健康等对“高抗噪声能力”有要求的电子产品中，相较以往主要使用的光隔离器（光耦）产品，将在性能、可靠性、集成度及成本效率方面展现优势。
SK Key Foundry 首席执行官 Lee Dongjae 表示：“我们在包括电动汽车在内、备受关注的数字隔离器工艺领域，能够掌握业界最高水平的技术实力，深感欣慰。SK Key Foundry 不仅将在韩国国内，还将面向包括美国、中国和台湾在内的全球客户，基于领先竞争对手的量产经验，持续提供世界一流水准的工艺技术，并通过不断开发工艺技术来满足客户的多样化需求。”
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