[台湾芯片通讯]台积电-联发科完成2纳米芯片设计

总部位于台湾的全球半导体设计企业联发科宣布，已完成全球首款采用台积电2纳米（1纳米=10亿分之1米）工艺的旗舰系统级芯片（SoC）设计。一直与高通瓜分智能手机应用处理器（AP）市场的联发科此举，既预示着激烈的技术竞争，也意味着台湾半导体生态在最先进工艺上继续保持领先。三星电子同样在准备利用自家晶圆代工（半导体委托生产）2纳米工艺的下一代SoC“Exynos 2600”，但量产时间尚不明确。

据22日台湾《经济日报》等当地媒体报道，联发科近期已完成2纳米工艺SoC设计，成为最先导入台积电2纳米工艺的客户。新芯片计划在今年下半年开始量产，并于明年推向市场。业界评价称，该项目显示双方在旗舰移动、高性能计算（HPC）等领域的合作将更加多元化，并将成为联发科扩展高性能、低功耗产品线的重要里程碑。

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台积电2纳米工艺的特点是引入纳米片（Nanosheet）晶体管结构，在性能、功耗和良率方面实现综合优化。联发科计划将首款2纳米芯片应用于从边缘到云端的多种应用场景。联发科相关负责人表示，将“全面提升用户体验，进一步强化旗舰平台的竞争力”。据台积电介绍，强化后的2纳米工艺相比现有N3E节点（台积电3纳米工艺），逻辑密度提升约20%，性能最高可提升18%；在相同速度下，功耗可降低约36%，有利于在移动及高性能计算平台上提升电池续航时间和散热管理表现。

联发科总裁Chen Guanzhou表示，引入2纳米工艺“再次证明了联发科将先进制程快速实现商业化的能力”，并称将通过与台积电的长期合作，“确保旗舰产品保持业内最高水平的性能与能效，从而满足全球客户的多样化需求”。

业界评价认为，台积电在2纳米试生产阶段已将良率提升至约60%。通常认为，良率超过60%即可实现稳定量产。苹果的下一代处理器也将采用台积电2纳米工艺生产，该芯片将搭载于明年推出的旗舰机型iPhone 18系列。

三星电子晶圆代工部门也在2纳米工艺上背水一战。公司计划采用2纳米环绕栅极（GAA）工艺生产由其系统大规模集成电路（系统LSI）事业部设计的下一代AP Exynos 2600。三星内部将Exynos 2600的量产时间定在今年11月，但目前尚未传出成功提升2纳米良率的消息。

2纳米市场被视为三星电子追赶台积电的关键战场。根据TrendForce数据，今年第二季度全球晶圆代工市场中，台积电市占率较前一季度上升2.6个百分点，达到70.2%，创下历史新高。三星电子虽扩大了晶圆代工营收，但市占率却从7.7%下滑至7.2%。

台湾《经济日报》记者Zhu Zasung / 翻译=《亚洲经济》

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※本专栏通过《亚洲经济》与台湾《经济日报》的战略合作刊载。

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