SK海力士又成功了…全球首款HBM4实现量产
SK海力士抢占AI存储市场主导权
样品供货仅6个月即完成量产准备
三星电子以更先进工艺决胜性能
SK海力士已启动全球首款第6代高带宽存储器（HBM4）的量产。借此领先仍处于样品供货阶段的三星电子和美光，在下一代人工智能（AI）存储器市场的主导地位将进一步加强。有观点认为，由于三星电子在逻辑芯片和核心芯片上采用了更先进的工艺，今后根据良率稳定化、量产时点以及英伟达品质测试结果等因素，市场格局仍可能发生变化。
SK海力士12日表示，公司已最终完成HBM4开发，并率先在全球构建起量产体系。HBM是将多颗DRAM垂直堆叠，以大幅提升数据处理速度的高性能、高附加值产品。SK海力士今年3月向客户供应了12层堆叠的HBM4样品，并在短短6个月内完成量产准备。业界评价认为，公司抢在竞争对手之前率先实现商用化，已率先夺得下一代存储器市场的主导权。
随着AI产业及基础设施的快速发展，数据运算处理需求也在爆发式增长。这正是HBM需求持续攀升、以实现更快系统速度为目标的背景所在。耗电巨大的数据中心运营负担，也使得提升存储器能效成为企业的核心课题。
此次SK海力士将要量产的HBM4，采用了2048个数据传输通道（I/O），较前一代产品增加一倍，在将带宽扩大2倍的同时，将能效提升了40%以上。SK海力士表示，若将该产品导入客户系统，AI服务性能最多可提升69%，不仅能够从根本上缓解数据瓶颈现象，还将大幅降低数据中心的电力成本。
此外，全新的HBM4实现了每秒10吉比特（10Gbps）以上的运行速度，远超美国电子工业标准协会（JEDEC）规定的8Gbps标准工作速度。在开发过程中，公司采用了SK海力士独有的粘合·封装工艺（MR-MUF），并导入10纳米级（1纳米=10亿分之一米）第5代1b DRAM，从而确保了产品的稳定性。
由于最先进入量产阶段，SK海力士有望通过其一贯强调的“快速进入市场（Time to Market）”原则，在向英伟达等主要客户供货方面取得竞争优势。竞争对手三星电子最快计划在今年第四季度量产，美国美光则以明年实现量产为目标，差距较大。
SK海力士AI基础设施事业总裁（首席营销官·CMO）Kim Juseon表示：“此次宣布率先构建量产体系的HBM4，是突破AI基础设施极限的标志性转折点”，“我们将及时供应AI时代所需的最高品质存储器，成长为‘全栈AI存储器供应商（Full Stack AI Memory Provider）’”。
随着SK海力士迅速构建量产体系，竞争预计将更加激烈。
三星电子正谋求在从明年开始全面启动的HBM4市场实现反转。为此，公司押注于采用技术上更为先进的工艺。在担当HBM“大脑”角色的逻辑芯片上，三星将采用其晶圆代工4纳米工艺，核心芯片（DRAM）也将采用领先一代的1c DRAM。SK海力士和美光则在台湾台积电（TSMC）的5纳米或12纳米工艺线上生产逻辑芯片，并采用1b DRAM作为核心芯片。
半导体业界正密切关注三星电子这一“险招”将产生何种效果。其最大客户英伟达正准备推出明年AI加速器Blackwell系列的后续产品“Rubin”。据悉，围绕此事，英伟达近期已向多家存储器企业提出“请提高HBM4数据处理速度”的要求。
对三星电子而言，关键在于能否尽快确保将用作HBM4核心芯片的1c DRAM的性能和良率。三星电子在今年6月底已成功开发出1c DRAM，并完成量产批准（PRA）。
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