SK海力士业界首家引进量产用“High NA EUV”设备

SK海力士3日表示，已在利川M16晶圆厂（半导体工厂）引进用于量产的“High NA极紫外（EUV）”设备，这是存储器行业首次引进该类量产设备。

SK海力士利川M16工厂全景。SK海力士供图

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该设备由荷兰半导体设备企业ASML制造，型号为“TWINSACAN EXE:5200B”，是业内首款实现量产应用的High NA EUV机型。

High NA EUV是相比现有EUV大幅提升分辨率的下一代光刻设备。在目前投放市场的设备中，其能够实现最精细的电路图形，对缩小线宽和提升集成度发挥关键作用。凭借比现有EUV提升40%的光学技术，可实现精度高出1.7倍的电路形成，并实现高出2.9倍的集成度。

若要提升半导体制造企业的生产效率和产品性能，先进制程技术必须不断高度化。电路实现得越精细，每片晶圆上可生产的芯片数量就越多，功耗效率和性能也会同步改善。

SK海力士自2021年在10纳米级第4代（1anm）DRAM中首次导入EUV以来，持续扩大EUV在尖端DRAM制造中的应用。特别是为应对未来半导体市场对极限微缩和高集成化的需求，公司推动引进超越现有EUV设备的下一代技术装备。

SK海力士计划通过此次引进的设备，简化现有EUV工艺，加快下一代存储器开发速度，从而同时确保产品性能和成本竞争力。公司预计，借此将进一步巩固其在高附加值存储器市场的地位，并更加牢固地确立技术领导力。SK海力士表示：“在激烈的全球半导体竞争环境下，我们已奠定了能够快速开发并供应满足客户需求的尖端产品的基础”，并称“将通过与合作伙伴的紧密协作，进一步强化全球半导体供应链的可靠性和稳定性”。

SK海力士当天还举行了下一代DRAM生产设备导入纪念活动，Kim Byungchan ASML Korea社长、Cha Seonyong SK海力士副社长（未来技术研究院院长兼首席技术官（CTO））、Lee Byungki副社长（负责制造技术）等出席了活动。

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Kim Byungchan社长表示：“High NA EUV是开启半导体产业未来的核心技术”，并称“将与SK海力士紧密合作，积极支持加速下一代存储器半导体技术创新”。CTO Cha Seonyong表示：“通过此次设备导入，公司已获取实现正在推进的未来技术愿景所需的核心基础设施”，并称“我们将以最领先的技术开发高速增长的人工智能（AI）和下一代计算市场所需的尖端存储器，引领AI存储器市场”。

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