Chipskye完成GaN功率半导体“HighGaN”国际商标注册

by Ryu Hyunseok

Published 01 Jul.2025 16:05(KST)

专注于氮化镓（GaN）功率半导体设计的企业Chipskei于1日表示，已通过世界知识产权组织（WIPO）完成针对GaN功率半导体技术的国际商标注册。

Chipskei的商标类别为第09类（功率半导体、电力转换装置等），注册名称为“HighGaN”。

“HighGaN”寓意Chipskei的GaN基功率半导体器件具备高性能（High performance）和高可靠性（High reliability），通过商标注册，Chipskei计划推进技术品牌化，并强化全球知识产权组合。

Chipskei作为国内首家在硅基板上生长氮化镓层的晶圆（GaN-on-Si）基础上量产650V级功率半导体的企业，正以此为起点，扩大向高速充电器、人工智能数据中心、工业电源装置等多种应用领域的产品供应。

在GaN功率半导体这一年均增长率超过35%的高速增长市场中，Chipskei计划通过“HighGaN”品牌向全球客户及合作伙伴宣传其技术可靠性和产品差异化，并集中力量开展新客户营销。

Chipskei代表Kwak Cheolho表示：“‘HighGaN’品牌的获得，不只是名称注册，更是为了确立技术身份和抢占下一代市场主导权而采取的战略性举措。今后将在量产技术实力的基础上，进一步强化品牌价值。”

Chipskei是一家成立于2017年的、专注GaN领域的电子器件设计专业无晶圆厂企业，主攻高性能功率半导体领域，并持续巩固其差异化技术竞争力。

GaN作为典型的化合物半导体材料，相比传统硅（Si），具有更高的电力效率、高速开关性能、高温稳定性以及小型化优势，因此正作为电动汽车、能源存储系统（ESS）、数据中心等电力基础设施的核心材料而备受关注。

本报道由人工智能(AI)翻译技术生成。