较前一日上涨7.32%至27.85万韩元
盘中触及28.3万韩元创52周新高
市值达202.7487万亿韩元突破200万亿
HBM市场优势稳固亦受中东停火影响
Choi Taewon“坚守投资”发挥作用
被SK集团收购前市值13万亿后持续上行
确立AI存储龙头企业地位
通过研发与未来生产基地投资提升竞争力

SK海力士的市值在24日首次自公司创立以来突破200万亿韩元。SK海力士首席执行官(CEO)Gwak Nojeong在去年初举行的“CES 2024”上提出“市值达到200万亿韩元”的目标,仅用了一年零6个多月便实现,被视为具有里程碑意义的成果。


京畿道利川市 SK海力士总部 联合新闻提供

京畿道利川市 SK海力士总部 联合新闻提供

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当天,SK海力士股价较前一交易日上涨7.32%,以27万8500韩元收盘。盘中一度涨至28万3000韩元,刷新52周新高。按当日收盘价计算,SK海力士市值为202万7487亿韩元,史上首次突破200万亿韩元。与去年年底(126万6000亿韩元)相比,仅6个多月市值就增加了70万亿韩元以上。


此前,Gwak CEO在去年的CES上表示:“只要我们扎实做好技术准备和开发,充分准备好产品,并最大化投资效率,同时大幅提升财务健全性,那么目前约100万亿韩元规模的市值就有望迈向更高水平。”他还称:“在公司内部看来,3年左右时间内可以挑战的目标值大致是200万亿韩元。”这一目标在当天成为现实。


2012年并入SK集团的SK海力士,在被收购前的2011年市值约为13万亿韩元,此后持续攀升,于2021年1月突破100万亿韩元。同年3月市值一度升至110万亿韩元,但由于存储器市场进入下行周期,2023年3月一度跌至55万亿韩元区间。


此后,SK海力士专注于产品与技术开发,着手将产品组合转向以HBM等高附加值产品为主。其结果是,随着成功确立人工智能存储器龙头企业的地位,公司价值的增长势头也明显加快。


当天创下峰值的市值被分析为,近期半导体市场对行业景气复苏的期待升温,同时SK海力士在下一代高带宽存储器(HBM)市场依然保持优势,推动股价上涨。此外,以色列与伊朗宣布达成停火协议,使其在一定程度上摆脱了来自美国因素的变量,这一影响也不容小觑。


业界评价称,SK海力士的成长离不开SK集团会长Chey Taewon在周围反对声中仍斥资3万4267亿韩元收购公司的“坚定投资”。


Chey会长在收购时强调:“并购或投资谁都可以做,但要期待更大的收获,必须具备技术”,“技术和研究开发(R&D)是我们的希望和未来,因此要通过技术商业化生产全球产品,确立为技术导向型公司。”


收购后,公司在包括HBM在内的各个领域进行了大规模投资。以此为基础,SK海力士自2013年率先在全球市场推出HBM以来,在HBM领域持续开发并量产世界最高水准的新产品。2022年6月,SK海力士率先在全球实现HBM3量产,向“人工智能大客户”英伟达(NVIDIA)供货;随后在2023年4月,又率先在全球成功开发出容量较原有8层HBM3提升50%的12层堆叠HBM3。


SK海力士第六代高带宽存储器HBM4。照片由SK海力士提供

SK海力士第六代高带宽存储器HBM4。照片由SK海力士提供

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目前,公司正向英伟达供应第5代HBM——HBM3E,今年产量已全部售罄。为在下一代HBM4市场继续保持优势,SK海力士已于今年3月向英伟达等主要客户提供HBM4样品,并以今年下半年实现量产为目标。今年第一季度,在全球动态随机存取存储器(D-RAM)市场上,SK海力士还超越三星电子,夺得第一名。


SK海力士正通过积极的研究开发(R&D)投入以及对未来生产基地的前瞻性投资,进一步强化竞争力。


去年8月,公司成功开发出全球首款采用10纳米级第6代1c微细工艺的16千兆比特(Gb)DDR5动态随机存取存储器;在闪存方面,去年11月开始量产全球层数最高的321层1太比特(Tb)TLC 4D闪存,不断突破技术极限。



在京畿道龙仁市,公司正总计投资120万亿韩元,建设新的存储器生产基地——龙仁半导体集群;为提前应对人工智能存储器半导体需求,还决定在清州园区追加投资建设M15X。M15X计划于今年11月完工,自明年起正式投入量产。公司还将在清州建设国内第7座半导体后工序设施。


本报道由人工智能(AI)翻译技术生成。

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