SK海力士超越三星电子 首次夺得DRAM市占率第一

有分析指出，SK海力士在全球DRAM市场上超越三星电子，登上了第一名的宝座。

京畿道利川市 SK海力士总部 韩联社供图

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根据全球市场调研机构Counterpoint Research本月9日公布的数据，今年一季度DRAM市场中，SK海力士的市场份额为36%，三星电子为34%，美光为25%，位居其后。尤其是在高带宽存储器（HBM）领域，SK海力士以70%的市场份额占据压倒性优势。

SK海力士超越三星电子，在DRAM市场份额上登顶第一，这还是首次。

两家公司的市场份额在去年一季度为三星电子41%、SK海力士30%，差距超过10个百分点；但到四季度，三星电子为37%、SK海力士为35%，差距明显缩小，并在今年一季度实现反转。业内分析认为，这既受益于HBM的景气，又受到三星电子主力产品——通用（传统）存储半导体在需求低迷及来自中国的低价产品攻势下表现疲软的影响。

Counterpoint Research首席研究员Choi Jeong-gu表示：“这一业绩是SK海力士在DRAM领域，尤其是针对HBM强劲需求作出成功应对的结果”，并称“这是公司发展历程中的一个重要里程碑”。

只要HBM需求得以维持，SK海力士领跑的市场份额格局在二季度仍将延续的可能性很大。尤其是在美国加征关税壁垒的情况下，预计对HBM市场影响不大，更是如此。Counterpoint Research董事Hwang Min-sung分析称：“短期来看，由于人工智能（AI）需求依然强劲，HBM市场受贸易冲击的影响会相对较小”，“作为HBM主要应用领域的AI服务器属于‘无国界’产品类别，因此较少受到贸易壁垒的制约”。

市场普遍预计，尽管存在关税忧虑，包括HBM在内的高附加值DRAM价格仍将延续上涨趋势。但Counterpoint Research也预测，从长期来看，美国主导的贸易冲击可能引发的经济衰退风险，或将成为HBM市场增长的一大不确定因素。

引领HBM市场的SK海力士，目前正向以Nvidia为代表的主要客户供应其主力产品HBM3E（第5代）12层堆叠产品。后续产品HBM4（第6代）12层堆叠产品的样品也已较原计划提前提供给客户。SK海力士计划在今年下半年实现该产品量产，并加快后续HBM4E的开发步伐，以进一步巩固其在HBM领域的领导地位。

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三星电子也在加快步伐，力争重拾竞争力。三星电子正尝试加入主导AI半导体生态系统的Nvidia供应链，但一年多来尚未取得具体成果。三星电子设备解决方案（DS）部门代表理事副会长Jun Young-hyun近日在股东大会上表示：“在AI竞争时代，HBM是代表性元器件，但由于我们稍晚读懂了该市场趋势，错失了初期市场”，“在HBM4等下一代HBM方面，我们正在按照计划一步一步推进，以避免再犯同样的错误”。

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