“HBM开发主力”Park Myeongjae，SK海力士副社长，获海东半导体工学奖

by Kim HyeongMin

Published 10 Dec.2024 19:56(KST)

11日举行“海东半导体工学奖”颁奖典礼

SK海力士高带宽存储器（HBM）设计负责人、副社长Park Myeongjae将于11日获颁由半导体工学会授予的海东半导体工学奖。

SK海力士。姜振亨记者供图

据业界10日消息，半导体工学会将于11日下午在首尔江南区格兰德洲际帕纳斯酒店举行“海东半导体工学奖颁奖仪式”。

在当天的颁奖仪式上，作为HBM开发主力之一的Park副社长将获得海东半导体工学奖技术奖。Park副社长因在设计验证创新、提升产品设计完成度等方面作出贡献，在确立SK海力士“HBM第一”地位过程中发挥了核心作用而获此殊荣。

海东半导体工学奖是根据已故Daeduck Electronics会长Kim Jeongsik的遗愿，为通过培养半导体人才推动学术与技术发展而设立的韩国半导体领域最高权威奖项。

此前，SK海力士在2009年开始投入约4年时间开发HBM，并于2013年12月推出首款HBM产品。目前，公司向作为人工智能（AI）大客户的英伟达供应第五代产品HBM3E，引领市场。

另外，在当天活动上，海东半导体工学奖学术奖将由浦项工科大学电子电气工程系教授Kang Seokhyeong获得。LX Semicon社长Lee Yuntae将以“超越硅技术的又一次创新”为主题发表主旨演讲。

本报道由人工智能(AI)翻译技术生成。