SK海力士正式宣布开发16层HBM3E…Gwak Nojeong：“明年初提供样品”

by Kim HyeongMin

Published 04 Nov.2024 14:02(KST)

Updated 05 Nov.2024 06:48(KST)

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在“SK AI Summit 2024”主题演讲中公布
现有最高容量48GB
16层堆叠超越原有12层成为最高层级

SK海力士首席执行官（CEO、社长）Gwak Nojeong 4日在首尔三成洞COEX举行的“SK AI Summit 2024”上首次正式表示，公司正在开发采用下一代高带宽存储器（HBM）、容量达到48GB的16层堆叠HBM3E。48GB是目前所有HBM中容量最大的规格，16层堆叠也超过现有的12层，是最高层数。

Kwak Nojeong SK海力士代表理事社长4日在首尔三成洞COEX举行的“SK AI Summit 2024”上，以“下一代AI存储器的新旅程超越硬件走进日常生活”为主题发表主旨演讲。照片由SK海力士提供

Gwak社长表示：“我们正在多方准备目前全球首次开发并量产的‘World First’产品，并规划具备最强竞争力的‘Beyond Best’产品。我们判断16层堆叠市场即将正式开启，为此正在开发48GB 16层HBM3E，以确保技术稳定性，计划在明年年初向客户提供样品。”

接着Gwak社长补充说：“为生产16层HBM3E，本公司将利用在12层产品上已证明量产竞争力的‘Advanced MR-MUF’工艺，同时也在并行开发作为后备方案的混合键合（Hybrid bonding）技术。”MR-MUF（Mass Reflow-Molded Under Fill）是指在堆叠半导体芯片后，为保护芯片与芯片之间的电路，将液体形态的保护材料注入空隙并固化的工艺。与每堆叠一片芯片就铺设一层薄膜材料的方式相比，该工艺被评价为更具工艺效率，同时在散热方面也更具效果。

Gwak社长还说明，通过内部分析发现，16层HBM3E在学习领域相比12层产品性能提升18%，在推理领域性能提升32%。他表示，在未来面向推理的人工智能（AI）加速器市场有望扩大的背景下，16层HBM3E有望进一步巩固本公司在AI存储器领域的最高地位。

此外，Gwak社长表示，SK海力士还在开发以低功耗和高性能为优势、预计将来会应用于个人电脑和数据中心的“LPCAMM2”模组，并在研发基于1cnm工艺的LPDDR5和LPDDR6。在闪存方面，公司也在准备支持第6代PCIe接口的固态硬盘（SSD）、大容量QLC架构的企业级固态硬盘（eSSD），以及UFS 5.0产品。

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SK海力士还制定了从HBM4开始在“基底芯片（Base Die）”中导入逻辑工艺的计划。基底芯片与图形处理器（GPU）相连，承担控制HBM的功能。HBM4的量产和供货时间表有可能被进一步提前。SK集团会长Chey Taewon在当天活动的主题演讲中表示，公司最大客户英伟达已提出将HBM4供货时间较原计划提前6个月的要求，而Gwak CEO回应称“我来试试看”。原本SK海力士计划在明年下半年开始量产HBM4。

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本报道由人工智能(AI)翻译技术生成。