三星称“完成HBM3E质量测试关键阶段” 暗示将向英伟达供货（综合）

三星电子于31日公布今年第三季度业绩，并就公司第五代高带宽存储器（HBM）HBM3E相关情况正式表示：“目前HBM3E 8层和12层产品均已量产并对外销售”，“在主要客户的质量验证（Qual Test）过程中，已完成关键阶段，取得了具有意义的进展，预计第四季度有望扩大销售”。这被解读为在一年多时间里未能通过人工智能（AI）芯片市场“大客户”英伟达的HBM3E质量测试、引发市场担忧的背景下，三星电子试图消除忧虑、扭转市场氛围所释放的信号。

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三星电子存储器事业部副社长 Kim Jaejun 当天在第三季度业绩说明会电话会议上表示：“整体HBM第三季度销售额环比增长超过70%”，“HBM3E在第三季度的销售占比已提升至10%出头水平，预计第四季度HBM3E占比将达到50%。”

Kim 副社长接着补充称：“虽然由于部分产品化进度延迟，业绩将低于上一季度发布的预期水平，但第四季度HBM3E占比仍预计为50%。”

此前，三星电子在本月8日发布暂定业绩时，在参考资料中判断称：“就HBM3E而言，主要客户的产品化进程较预期有所延迟。”据市场调研机构TrendForce统计，全球HBM需求主要来自英伟达（58%）、谷歌（18%）、AMD（8%）、亚马逊云服务（AWS，5%）等。

Kim 副社长公布的HBM相关内容，可谓是当日第三季度业绩发布会的重头戏。在此前被认为在HBM市场失去竞争力并面临危机的情况下，三星电子抛出乐观的“HBM路线图”，被评价为为市场氛围的转变留下了空间。对英伟达的HBM供货也被认为将逐步显现。Kim 副社长表示：“面向多家客户，HBM3E 8层和12层产品的销售均在扩大”，“并正根据主要客户的下一代图形处理器（GPU）项目需求，准备HBM3E改进产品。”

他接着表示：“正与客户协商时间表，力争在明年上半年内实现相关产品的量产”，“现有HBM3E产品将扩大供应至已进入的项目中，改进产品则作为新项目用产品追加销售，从而不断扩大需求覆盖范围。”

第六代产品HBM4则正按计划推进开发，目标是在明年下半年实现量产。Kim 副社长强调：“正与多家客户推进定制型HBM的产品化”，“由于定制HBM关键在于满足客户需求，因此在与基底芯片制造相关的晶圆代工合作伙伴选择上，将以客户需求为最优先考量，对内对外均灵活应对。”考虑到全球晶圆代工市场事实上由台湾台积电（TSMC）与三星电子两家瓜分，这也被解读为三星根据客户要求，敞开与台积电合作的可能性。

Kim 副社长还表示：“在HBM生产集中导致基于先进制程的DDR5供应能力受限的情况下，服务器DRAM平均销售单价（ASP）的涨幅高于整体DRAM平均销售单价的涨幅。”他同时称：“针对部分传统产品，正弹性下调产量，加速向先进制程转换”，“继上季度之后，将在年内完成库存健康化，从而强化业务体质。”

黄仁勋首席执行官在三星HBM3E上留下的签名。新华社供图

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三星电子正在考虑明年继续维持与今年相似水平的资本性支出（CAPEX，设施投资）。Kim 副社长表示：“将优先投入下一代半导体研发（R&D）园区建设、后工序投资以及洁净室的预先 확보，着手强化未来竞争力”，“在设备投资方面，将更多聚焦于转换投资而非扩产，对现有生产线加速向1b纳米DRAM和第8代、第9代V-NAND的转换，集中资源于基于先进制程、需求动能强劲的高附加值产品。”

另一方面，尽管确认三星电子今年第三季度营业利润不足4万亿韩元，但由于存储器业务表现坚挺，多少带来了一定安慰。第三季度最终业绩为：销售额79万1000亿韩元，营业利润9万1800亿韩元。销售额超过此前最高纪录——2022年第一季度的77万7800亿韩元，刷新了季度历史新高。半导体（DS）部门销售额为29万2700亿韩元，营业利润为3万8600亿韩元。与上年同期相比，营业利润增长7.6%，但与上一季度相比下降2.59%。由此营业利润率为13.2%，低于SK海力士等竞争对手。

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不过，在DS部门业绩中占据相当比重的存储器业务表现坚挺。存储器业务销售额为22万700亿韩元，同比大增112%。除去一次性费用等因素后，实际营业利润被推算接近7万亿韩元。包括第三季度绩效奖金在内的一次性费用估算约为1万亿韩元。从DS部门营业利润中扣除一次性费用，相当于实际获得接近5万亿韩元的利润。这一数值比证券业界4万1000亿韩元的预估值高出约20%。再考虑到系统LSI事业部及晶圆代工事业部的亏损规模被估计在1万5000亿韩元左右，存储器事业部的营业利润被分析为约7万亿韩元。

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