HBM疲软、向NVIDIA供货延迟…SK海力士反超“近在眼前”

三星电子今年第三季度的暂定业绩略低于市场预期，主要原因在于半导体业务的影响较大。半导体约占三星电子整体业绩的60%，而动态随机存取存储器（DRAM）价格下跌以及高带宽存储器（HBM）表现不佳起到了关键作用。市场担忧，在将于本月31日公布的详细业绩中，半导体营业利润可能会被竞争对手SK海力士反超。

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当天三星电子暂定公布的全业务部门营业利润为9.1万亿韩元。证券业界根据这一数字以及近期披露的行业情况和信息，预计负责半导体业务的设备解决方案（Device Solutions，DS）部门将实现约5.3万亿韩元的营业利润。考虑到公司在本季度投入的一次性费用等因素，有评价认为尚未陷入最糟糕的危机。但与在半导体景气回暖和人工智能（AI）存储器需求扩大推动下，第二季度营业利润（6.567万亿韩元）出现爆发式增长相比，第三季度营业利润减少了约1万亿韩元，因此“谈不上是好业绩”的冷静分析更占上风。

如果市场预期成真，三星电子将在营业利润方面被竞争对手SK海力士反超，从而拱手让出存储器市场第一的位置。与三星电子不同，SK海力士今年第三季度有望创下历史最高业绩。市场预计，SK海力士第三季度的销售额和营业利润将分别达到18.1262万亿韩元和6.7679万亿韩元。借助高带宽存储器（HBM）销售强劲，SK海力士的营业利润预计将比三星电子DS部门多出约1.4万亿韩元。

SK海力士在第三季度以HBM为中心重组DRAM销售结构，扩大出货量，同时巩固与客户的合作关系，从而稳固了其在HBM市场的领先地位。相反，三星电子在HBM市场尚未形成明确的转折点。原本被认为会在今年第三季度内收尾的第五代HBM3E英伟达质量测试目前仍在进行中。有传闻称，今年6至7月间，英伟达首席执行官（CEO）Jensen Huang在美国与三星电子管理层会面时，对三星电子的技术实力和工程师能力表示怀疑，并对HBM3E产品表达了不满。虽然这一传闻的真伪尚未得到证实，但类似说法的出现被认为反映了三星电子当前处境不佳。英伟达在尚未最终确定是否采用三星电子HBM3E的情况下，目前仅在面向中国出口的低性能产品中使用三星电子的HBM3。

随着HBM竞争格局可能被改写，三星电子在DRAM领域的第一位置也正受到威胁。根据市场调研机构TrendForce的数据，今年第二季度，三星电子整体DRAM销售额为98.2亿美元，较上一季度（80.5亿美元）增长22%，仍保持第一，但与市占率第二的SK海力士之间的差距已从第一季度的12.8个百分点缩小至第二季度的8.4个百分点。

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对于三星电子而言，如果在本月末公布最终业绩时，不能通过未来蓝图给出明确而有力的计划，危机将进一步加剧。主导半导体业务的DS部门负责人、副会长Jeon Younghyun当天通过单独信息表示，“与其寻找短期解决方案，不如着力确保根本性竞争力”，“将摒弃只想守住既得利益的防守心态，以向更高目标冲刺的挑战精神重新武装自己”。外界预计，未来半导体部门将很快迎来大刀阔斧的革新与创新。

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