SK海力士闪耀亮相TSMC论坛…英伟达H200与HBM3E同台登场

by Choi Seoyoon

Published 26 Sep.2024 16:47(KST)

Updated 26 Sep.2024 17:56(KST)

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美国加州“OIP 2024论坛”
强调与英伟达、台积电三方合作

当地时间25日，在美国加利福尼亚州圣克拉拉举行的“TSMC开放创新平台论坛2024”配套活动——OIP合作伙伴技术演讲上，SK海力士TL Lee Byeongdo正在进行发表。SK海力士提供

SK海力士首次参加由全球最大晶圆代工企业、台湾台积电（TSMC）主办的全球半导体活动，展示了与英伟达的合作成果。

SK海力士于25日（当地时间）在美国加利福尼亚州圣克拉拉举行的“TSMC开放创新平台（Open Innovation Platform, OIP）论坛2024”上，将公司HBM3E与英伟达H200芯片组板卡并排展出。本次芯片组的制造商正是本次活动主办方台积电，凸显了客户—晶圆代工—存储企业之间的三角合作关系。

该论坛是台积电为推动与半导体生态系统内主要企业的技术开发与合作而举办的活动，来自世界各国的主要半导体企业参会，展示新产品和新技术。

SK海力士在本次活动中以“MEMORY, THE POWER OF AI（存储，人工智能的力量）”为主题设立展台，重点介绍了▲HBM3E ▲DDR5 RDIMM ▲DDR5 MCRDIMM等多种人工智能存储解决方案。HBM3E具备36GB容量和每秒1.2TB的带宽，可大幅提升人工智能运算速度和效率。

SK海力士展台内与HBM3E一同展出的H200 SK海力士提供

此外，SK海力士还全球首次公开了基于10纳米级第六代（1c）工艺的DDR5 RDIMM，提出了面向下一代数据中心的存储解决方案愿景。该产品相比上一代速度提升11%，电源效率改善逾9%，预计可将数据中心的电力成本最多降低30%。

SK海力士还参加了OIP论坛的配套活动“OIP合作伙伴技术演讲”。SK海力士HBM封装TE部门技术负责人（TL）Lee Byungdo发布了“为提升HBM质量与可靠性的2.5D封装联合研究”成果，强调与台积电的技术合作。这位技术负责人表示：“将利用台积电基底芯片（Base Die）提升HBM4的性能和效率”，并称“将开发基于先进MR-MUF和混合键合技术的HBM4 16层产品，以满足市场对高集成度（High Density）的需求”。