有预测指出，随着英伟达在明年推出下一代人工智能（AI）专用芯片，第五代高带宽存储器HBM3E（8层·12层）的消费占有率将突破85%。
8日，市场调研机构TrendForce表示：“由于英伟达H200的出货，今年HBM3E的消费占有率将提升至60%以上”，“到明年，随着在Blackwell平台上全面采用HBM3E、产品层数增加以及单颗HBM容量提升，英伟达对HBM3E的消费占比将扩大到85%以上。”
尤其是今年下半年市场预计将围绕HBM3E 12层产品展开。目前HBM市场主流仍是HBM3和HBM3E 8层产品，但分析认为，随着最新AI芯片对更大容量和更高性能HBM的需求不断增加，12层产品的需求将逐步上升。
出席谷歌云活动的黄仁勋英伟达首席执行官
（旧金山=韩联社）特派记者 Kim Taejong = 英伟达首席执行官（CEO）黄仁勋（右）29日（当地时间）在美国旧金山莫斯科尼中心举行的谷歌云年度大会 Next '23 上，与首席执行官托马斯·库里安就扩大合作伙伴关系进行交谈。2023.8.30
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据TrendForce介绍，英伟达最新专用芯片“Blackwell Ultra”将采用8颗HBM3E 12层堆叠芯片，现有的GB200也有望与即将亮相的B200A一同完成升级。
由此推断，明年HBM3E中12层产品的占比将提升至40%，并且还有进一步上升的可能。
此前，SK海力士已于今年3月率先在存储厂商中开始向英伟达供应第五代HBM——HBM3E 8层产品。后续产品HBM3E 12层已向主要客户完成样品供货，本季度将开始量产，并计划从第四季度起正式向客户供货。
美国美光公司在今年2月开始量产HBM3E 8层产品后，又于5月启动HBM3E 12层样品供货。
三星电子的HBM3E 8层和12层产品目前正在接受英伟达的质量（Qual）测试。三星电子已在上月31日的业绩电话会议上正式表示，将在第三季度内实现HBM3E 8层产品量产并全面供应，12层产品也将在下半年开始供货。
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