“HBM 8层正在客户评估中
12层已完成量产爬坡准备”
是否通过英伟达质量测试受关注
“遵守保密协议” 惜字如金
以HBM为首,下半年也剑指存储器亮眼业绩

三星电子正式宣布计划,从今年下半年开始全面启动第五代高带宽存储器(HBM)产品HBM3E的量产与供应。目前该公司正接受英伟达对HBM3E 12层堆叠产品的质量验证(Qual Test),在此背景下作出上述发布,更加引发业内关注。


三星电子36GB HBM3E 12层产品。图片由三星电子提供 图片由韩联社提供

三星电子36GB HBM3E 12层产品。图片由三星电子提供 图片由韩联社提供

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三星电子在31日举行的今年第二季度业绩发布电话会议上表示:“(第五代)HBM3E 8层堆叠产品正按计划推进客户评估,有望在第三季度正式开始量产供应”,“业内首次开发并向客户提供样品的HBM3E 12层堆叠产品也已经完成量产爬坡准备,将按照多家客户的需求时间表,在下半年扩大供应。”


不过,对于与英伟达质量验证相关的问题,三星电子表示:“我们知道投资者和媒体对此高度关注”,“但为遵守与客户签订的保密协议(DNA),对于相关信息无法作出评论。”


尽管三星电子对此保持缄默,但业内传出消息称,三星电子的HBM3E 12层堆叠产品即将通过英伟达的质量验证。由此,HBM产品的需求也被预计将大幅增加。彭博通讯社前一天援引匿名消息人士的话报道称:“三星电子的HBM3E将在2至4个月内通过质量测试。”此前,三星电子的第四代HBM3产品已通过英伟达的质量验证,将于下月开始量产。


英伟达首席执行官(CEO)Jensen Huang 今年初在美国圣何塞举行的年度开发者大会“GTC 2024”期间,来到三星电子展台,在下一代高带宽存储器(HBM)HBM3E 上留下的亲笔签名。照片为韩镇万 三星电子副社长社交媒体截图  图片由联合通讯社提供

英伟达首席执行官(CEO)Jensen Huang 今年初在美国圣何塞举行的年度开发者大会“GTC 2024”期间,来到三星电子展台,在下一代高带宽存储器(HBM)HBM3E 上留下的亲笔签名。照片为韩镇万 三星电子副社长社交媒体截图 图片由联合通讯社提供

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三星电子也表示,从公司自身判断,下半年HBM的需求和销售额将大幅上升。相关负责人称:“预计本公司HBM中HBM3E的销售占比将在第三季度超过10%中段,并在第四季度快速提升至约60%的水平。”他还补充说:“第二季度本公司HBM销售额较上一季度增长了50%中段,受益于以后每个季度大致翻倍的快速增长,下半年整体规模预计将扩大到上半年3至5倍以上。”


对于下一代(第六代)HBM4,三星电子表示:“正以明年下半年出货为目标,按计划推进开发”,“同时也在开发为不同客户优化性能的定制HBM产品,目前已经与多家客户就详细规格展开协商。”


三星电子在进一步收紧HBM竞争缰绳的同时,预计将以此为先导,在下半年继续推动半导体业绩的改善。公司计划扩充HBM产能、提高HBM3E销售占比,并在服务器用DRAM领域,以1b纳米工艺的32Gb DDR5为基础的128GB、256GB等大容量模块为依托,强化市场竞争力。



在NAND方面,将以面向服务器、个人电脑和移动设备全领域优化的QLC固态硬盘产品线为基础,适时响应客户需求。系统LSI部门将集中事业部资源,确保面向旗舰产品的Exynos 2500稳定供应。业内首款采用3纳米系统级芯片(SoC)的可穿戴设备在初期市场反应良好,预计下半年主要客户的SoC采用机型也将扩大。代工业务方面,随着移动产品线需求回升,人工智能和高性能计算领域产品的需求预计将增加。


本报道由人工智能(AI)翻译技术生成。

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