新一代GAA，代工领域游戏规则改变者
不再拼速度战，专注稳健技术研发
二季度营收增速有望达两位数
三星电子于12日（当地时间）举办的今年晶圆代工论坛的核心，是让既有路线图中提出的最尖端工艺加速走向稳定量产。三星电子此前已将2027年量产1.4纳米（nm，纳米；1nm=10亿分之1米）工艺作为目标，此次表示，为了向客户稳定供货，将在良率（成品中合格品比例）和性能上投入更多资源。有观点认为，本次论坛上曾一度出现提前1.4纳米量产时间表的可能性，但最终评价是，三星再次确认了要稳步推进路线图，从而在1纳米时代掌握主导权的决心。
三星电子强调，公司正在进一步提升其在2022年业界首次在3纳米工艺中导入的全环绕栅极（GAA，Gate-All-Around）技术实力。GAA是将构成半导体的晶体管中，栅极（电流出入的“门”）与沟道（电流流动的路径）接触面增加到4个的下一代技术。与既有的鳍式场效应晶体管结构（FinFET）相比，其数据处理速度更快、电力效率更高，因此被视为晶圆代工行业的“游戏规则改变者”。三星电子比行业第一的台湾台积电（TSMC）更早导入GAA而备受瞩目。
三星电子在论坛上表示：“目前我们正以稳定的良率量产基于GAA的3纳米第一代（SF3E）工艺”，“第二代工艺（SF3）也将以SF3E的量产经验为基础，顺利开发并于下半年投入量产。”公司还说明称，“自首次导入GAA技术后，我们正推进直至2纳米及1.4纳米的开发。”
三星电子这一方针与其近两年在论坛上强调的重点有所不同。公司在2022年论坛上曾宣布，将于2025年量产采用2纳米工艺的半导体，2027年量产采用1.4纳米工艺的半导体。去年的活动上，则比台湾台积电更早，业界首次提出了具体的2纳米工艺路线图。但此次，三星并未突出在尖端半导体上的“速度战”，而是更强调为夯实业务基础，将着力提升GAA技术实力。
这与竞争对手台积电和英特尔均表示将从2纳米级开始导入GAA有关。以台积电宣布将在2025年量产2纳米为例，与三星电子之间在技术导入上将拉开约3年的差距。对三星电子而言，相当于赢得了进一步提升GAA良率的时间。
晶圆代工行业的1纳米路线图也在推进之中。近期，受人工智能（AI）设备扩散带来的高性能半导体需求推动，晶圆代工订单激增，行业竞争愈发激烈。目前最先进的技术是台积电和三星电子推出的3纳米。原本预告将在2027年量产1.4纳米的台湾台积电，今年4月又通过1.6纳米工艺宣布，将自2026年起开始生产半导体，进一步补充了其先进工艺路线图。正在追赶台积电和三星电子的美国英特尔，则预告将在年内导入18A（约1.8纳米级）工艺，使竞争进一步升温。
三星电子提出目标称，将通过改进先进工艺技术，到2027年为止，把晶圆代工业务中非移动产品线的销售占比提高到50%以上。公司表示，今年在典型高性能计算（HPC）领域——与AI相关的订单规模，较去年增长了80%。去年还拿下了AI领域初创企业Groq和Tenstorrent的下一代AI芯片量产订单。
在这一战略推动下，预计三星电子的晶圆代工客户数量将从2022年的100家、去年的120家，扩大至2026年的169家、2028年的210家。去年三星晶圆代工订单金额达到160亿美元，创下历史新高。预计今年第二季度，随着市况改善，将实现两位数的销售增幅。
KB证券表示：“三星晶圆代工客户数量，正通过与全球知识产权（IP）企业（ARM、Cadence）以及本土设计公司（Gaonchips、Semifive）等一道，扩展晶圆代工生态系统，从而以年均10%至15%的速度增长”，“预计到2028年，三星晶圆代工的市场占有率将达到24%，有望在5年内从去年的12%翻番。”
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