Nvidia首席执行官（CEO）Jensen Huang于4日（当地时间）表示，关于三星电子在高带宽内存（HBM）相关认证测试中失败的传闻并不属实，目前认证程序正在进行中。
据彭博社等外媒报道，Huang CEO当天在中国台湾台北一家酒店举行的记者座谈会上表示：“我们正在检测三星电子和美光提供的HBM半导体”，“三星电子迄今为止从未在任何认证测试中失败过，但三星HBM产品需要进行更多工程方面的工作。”
此前，路透社在上月24日报道称，三星电子因发热和功耗等问题，未能通过向Nvidia供应HBM所需的测试。当天的发言被解读为对该报道的反驳。
当时三星电子发表立场声明称：“目前正与多家厂商紧密合作，持续测试技术和性能”，“为彻底验证HBM的质量和性能，正在执行多种测试。”
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另一方面，HBM是一种将多片动态随机存取存储器（DRAM）垂直堆叠，以提升大容量数据高速处理性能的半导体，被视为人工智能（AI）时代的关键半导体。三星电子已率先在全球开发出容量为36千兆字节（GB）、第5代HBM——HBM3E、12层堆叠（12-Hi）的产品，并已向Nvidia提供样品。目前，该产品正接受Nvidia自有质量验证，以便未来向其供货。
本报道由人工智能(AI)翻译技术生成。
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