TSMC奔赴荷兰，Rapidus转向美国…抢占2纳米技术与设备“提速”
TSMC CEO缺席自办活动却出席ASML行程
听取曾被称“太贵”的高NA EUV说明
日本Rapidus赴美国IBM学习EUV使用方法
随着半导体超微细工艺技术竞争日益激烈，以量产2纳米（㎚，1纳米为10亿分之1米）及以下半导体为目标的晶圆代工企业正加快相关技术和设备的 확보。全球晶圆代工龙头企业台湾TSMC由首席执行官（CEO）亲自前往ASML，听取关于下一代极紫外光（EUV）光刻机的说明；而在日本政府积极支持下的Rapidus则向美国IBM研究所派遣了100名员工，投入先进半导体技术开发。
据《Digitimes》等媒体29日报道，TSMC CEO魏哲家于本月23日没有出席在台湾台北举行的“TSMC Technology Symposium 2024”活动，而是前往荷兰半导体设备企业ASML总部，会见了ASML CEO Christopher Fuke。Fuke CEO在其社交媒体上发布称，“向魏CEO介绍了ASML的最新技术和新产品，并说明了High-NA EUV设备如何实现微细工艺技术”，同时上传了与其合影。
访问荷兰半导体设备企业ASML总部的TSMC首席执行官(CEO)魏哲家与ASML首席执行官(CEO)Christopher Fuke等人正在合影留念。Christopher Fuke ASML CEO SNS提供
View original image由ASML垄断生产的新一代High-NA EUV，相比现有EUV设备能够更精细地绘制电路，但价格高出2倍以上，单台价格超过5000亿韩元。TSMC此前甚至曾表示“设备太贵”，并宣称将利用现有设备来完成2纳米工艺。然而，即便是TSMC，在晶圆代工行业围绕超微细工艺展开技术竞争的形势下，也被认为判断要巩固其目前掌握的霸主地位，相关投资已属不可避免。
TSMC的目标是在明年之前实现2纳米半导体量产。TSMC目前计划，至少到预计于2026年下半年量产的1.6纳米产品A16为止，仍使用现有设备生产，此后工艺开始再考虑导入High-NA EUV。
High-NA EUV也是三星电子和英特尔等其他晶圆代工企业努力争取的设备。三星电子会长Lee Jae-yong上月与Fuke CEO会面，强化了“半导体三角同盟”；英特尔则在今年3月宣布，“正在以快于预期的速度使High-NA EUV设备实现稳定化，并已能够把其投入生产线的时间提前到明年”。
日本Rapidus派遣100名员工赴IBM研究所
半导体企业除了争取先进设备外，也在致力于为2纳米半导体量产开发相关技术。日本《日本经济新闻》近日报道，在位于美国纽约州奥尔巴尼的IBM研究所内，约有100名Rapidus员工正专注于2纳米半导体技术开发。Rapidus以2027年在日本国内自主生产2纳米半导体为目标，正积极利用美国的技术实力。
奥尔巴尼IBM研究所距离纽约市车程约3小时，仅用地面积就相当于东京巨蛋的3倍。以12英寸（300㎜）晶圆工厂为基准，它是美国规模最大的设施。《日本经济新闻》称，IBM研究所是全球首家成功完成2纳米半导体设计与开发的机构，并介绍说，该研究所虽为研发基地，但内部建设成半导体工厂形态。
Rapidus技术人员在IBM研究所承担的核心工作是开发2纳米半导体量产技术。Rapidus已设定目标，要在日本北海道正在建设的工厂中，于2027年具备量产2纳米半导体的技术实力。为此，Rapidus技术人员正在向IBM技术人员学习EUV设备的使用方法。
由于日本不仅要开发先进半导体生产技术，还以实现量产为目标，IBM研究所也在集中摸索量产化过程中可能出现的问题。从半导体生产时异物混入的问题，到在生产工艺或设计过程中导致良率下降的各种原因，研究所正在奥尔巴尼园区内建立模拟生产线，一旦出现问题就寻找解决方案，以此方式应对。
为学习IBM研究所的技术，去年4月首批7名Rapidus技术人员被派遣至该研究所。Rapidus今后计划将派遣人数扩大到200人。《日本经济新闻》报道称，其中一半技术人员负责生产工艺，其余则为负责性能测量分析的器件工程师和从事电路设计的设计工程师。据悉，他们目前研究的课题已超过300个。
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IBM Research所属半导体总负责人Mukesh Khare表示：“由于竞争异常激烈，从Rapidus开始量产的2027年以后着眼进行产品开发尤为重要。”
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