三星电子：“2030年实现3D DRAM商用化，加速巩固技术超差距”
Kim Gyeongryun常务在公司新闻室发表投稿
自信提及3D DRAM商业化时间表
HBM累计销售额超100亿美元
三星电子正式宣布将于2030年实现3D DRAM商用化。三星电子近日在美国硅谷举行的存储半导体学会上表示，将于明年公开3D DRAM初期版本，随后又在国内具体公布了产品商用时间表。公司构想是，在应对人工智能（AI）时代不断增加的存储半导体技术课题的同时，通过技术上的巨大领先优势，进一步巩固其在DRAM市场的全球第一地位。
三星电子DS部门存储事业部产品企划室常务Kim Kyungryoon 2日在公司新闻室发表的投稿文章中表示：“我们正在针对10纳米（1纳米=10亿分之1米）以下DRAM，开展利用垂直通道晶体管（VCT）的新结构的前瞻性研究开发（R&D）”，并称“计划在2030年推进3D DRAM的商用化”。
3D DRAM是一种打破以往将数据存储空间——单元（Cell）平面排列结构、改为垂直堆叠以提高单位面积容量的技术概念。半导体业界预计，一旦3D DRAM实现商用化，在占用面积小于现有DRAM的同时，能够处理大容量数据，在AI时代将具备巨大优势。也有观点指出，由于单元之间的间距较以往更大，有望进一步提升能效。
三星电子今年3月通过全球存储半导体学会“MEMCON 2024”曾公开过3D DRAM路线图。半导体业界评价称，这“可以解读为对自身技术开发具有相当信心”。
三星电子不仅在韩国国内，也通过美国法人等多处研发（R&D）据点开发3D DRAM技术。公司目标是要比SK海力士和美国美光等竞争对手更快抢占3D DRAM市场。为此，去年下半年还从美光挖来一直从事3D DRAM技术开发的副社长Lee Siwoo。
Kim常务强调了开发3D DRAM技术的必要性，他表示：“AI技术的发展离不开存储半导体的进步，为实现系统高性能化，不仅需要高带宽、低功耗存储器，还需要新的接口和堆叠技术。”
三星电子还计划在AI时代备受关注的高附加值DRAM——高带宽存储器（HBM）市场中提升竞争力。公司预计，自2016年HBM实现商业化以来，截至今年可实现的HBM累计销售额将超过100亿美元。
尤其是今年HBM销量中，第五代产品HBM3E的占比预计将超过三分之二。三星电子已于上月开始量产第五代HBM产品HBM3E 8层堆叠产品，并计划在第二季度内实现HBM3E 12层堆叠产品的量产。目前，公司正向客户供应12层产品样品。
公司还将应对正向定制化方向演进的HBM需求，推出为各客户量身优化的产品。Kim常务表示：“自今年年初起，我们汇集各事业部优秀工程师，组建了专门负责下一代HBM的专职团队，正加快推进为实现定制化HBM最优化而开展的研发（R&D）。”
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三星电子DS部门负责人Kyung Kyehyun近期也面向公司内部成员召开经营现状说明会表示，虽然在HBM初期市场中将主导权拱手让给了SK海力士，但今后将提升竞争力。Kyung社长表示：“在AI初期市场我们未能取胜”，“第二回合必须由我们获胜，只要把能力很好地汇聚起来，完全可以做到。”
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