NAND闪存也有望转盈
HBM需求上升带动联动走高
凭借CXL等技术攻占市场
台湾地震或成价格变量

在存储半导体供需情况正在改善的背景下,今年半导体复苏水平能否达到“超级周期”备受关注。


半导体。亚洲经济数据库供图

半导体。亚洲经济数据库供图

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据业界5日消息,台湾市场调研机构TrendForce于3日公布的半导体价格指标显示,存储半导体(DRAM、NAND闪存)现货价格持续呈上涨趋势。仅在3日当天,DRAM产品“DDR5 16G (2Gx8) 4800/5600”和“DDR4 16Gb (1Gx16) 3200”价格分别上涨0.17%、0.42%,而“DDR4 8Gb (1Gx8) 3200”的价格也上涨了0.23%。


NAND闪存的涨幅更大。“SLC 2Gb 256MBx8”上涨1.57%,SLC 1Gb 128MBx8的价格上涨1.82%。NAND闪存的固定成交价也呈现上涨态势,128Gb和64Gb的平均价格分别上涨3.82%、3.26%。价格上涨意味着需求同样在增加。据悉,三星电子在NAND闪存业务上依然处于亏损状态,但如果价格涨势持续,继DRAM之后,NAND闪存也有望实现扭亏为盈。


业内分析认为,近期半导体价格进入上升区间,主要受人工智能半导体开发热潮带动。随着作为人工智能运行核心要素的高带宽存储器(HBM)需求增加,DRAM、NAND闪存等产品的销量也随之提升。主流预期认为,第二季度半导体价格也将大幅上涨。尤其是三星电子计划不仅在HBM领域发力,还将通过高性能、大容量DDR5,以及通过连接存储半导体以提升数据处理速度和容量的Compute Express Link(CXL)等多元化产品组合,全面进军人工智能市场。


此前,三星电子已提出雄心勃勃的目标,拟通过用于大型语言模型(LLM)的芯片“Mah1”,解决因存储瓶颈导致的人工智能系统性能下降问题,从而改变以HBM为中心的人工智能半导体市场格局。


发生在台湾的地震也被视为影响半导体价格的变量。本月3日,台湾发生里氏7.2级强震,当地部分台积电(TSMC)工厂被迫停工。震中所在的新竹科学园区,聚集着承担台积电一半销售额的先进工艺生产基地。因此,短期内台积电的半导体生产预计将面临困难,对市场价格产生重大影响的可能性大幅增加。台积电作为负责全球50%以上系统(非存储)半导体生产的企业,对从尖端产业到家电、汽车等全球各行业都产生着巨大影响。



英国投资银行巴克莱在一份有关台湾地震的报告中预测称,“由于半导体晶圆厂(fab,生产设施)停工,工艺流程将受到干扰,从而加大半导体价格的上行压力”。


本报道由人工智能(AI)翻译技术生成。

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