业内首款基于SD Express的产品开发
攻克现有产品技术难题克服发热问题
推出1TB大容量microSD卡

三星电子将推出两款全新microSD卡产品。这些产品包括一款可在5秒内传输一部电影的高性能产品,以及一款大幅提升耐久性的1TB(太字节)超大容量产品。三星电子计划通过本次新品上市突破NAND闪存市场低迷局面,并为未来增长型业务提前布局。

三星电子开发的基于 SD Express 的 256GB 容量 microSD 存储卡 / 图片由三星电子提供

三星电子开发的基于 SD Express 的 256GB 容量 microSD 存储卡 / 图片由三星电子提供

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三星电子28日表示,已开发出基于高性能SD Express接口的microSD卡,并已开始向客户提供样品。


microSD卡是一种基于闪存的数字存储装置,即存储卡的一种。通常用于电子设备的存储卡称为SD卡,而相比普通SD卡体积更小的产品则为microSD卡。microSD卡采用NAND闪存结构,主要用于智能手机、平板电脑等设备。


三星电子此次业界首次基于新型SD卡接口——SD Express开发出新产品。通过低功耗设计技术与固件优化,解决了此前microSD技术中的一大难题——发热等问题,这是该产品的一大特点。


在这一过程中,公司还首次将原本搭载于NAND闪存基础的辅助存储装置——固态硬盘(Solid State Drive,SSD)上的DTG(Dynamic Thermal Guard,动态温控防护)技术应用于microSD卡。DTG是一项通过分阶段调节产品性能,防止温度升至特定阈值以上的技术。


该产品基于SD Express 7.1规范,连续读取性能为800MB/s,容量为256GB,属于业界最高水准的性能与容量。尤其是800MB/s的速度,可在5秒内将一部4GB大小的电影从存储卡传输到个人电脑,比现有连续读取速度为200MB/s的产品快4倍。


三星电子推出的 1TB 容量 UHS-Ⅰ microSD 存储卡 / 图片由三星电子提供

三星电子推出的 1TB 容量 UHS-Ⅰ microSD 存储卡 / 图片由三星电子提供

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三星电子推出的另一款microSD卡,是容量为1TB的UHS-I microSD卡。UHS-I是指2009年制定的SD卡标准。


为推出此前仅在固态硬盘上实现的TB级超大容量型号,三星电子采用最新第8代1Tb(太位)大容量V-NAND,以8层堆叠方式进行封装。同时大幅提升了防水、防摔、防磨损等方面的耐久性,以便在极端外部环境下也能安全保护数据。


公司将于下月开始量产256GB容量的SD Express microSD卡。将以企业对企业(Business to Business,B2B)供货为起点,计划在年内面向企业与消费者之间交易(Business to Consumer,B2C)市场推出。容量为1TB的UHS-I microSD卡则将在第三季度上市。


三星电子计划通过上述新品上市,突破NAND闪存市场低迷局面,并在未来进一步扩大市场地位。据市场调研机构Omdia数据,NAND闪存市场去年出现负增长,行业景气低迷,但从今年开始有望重回增长轨道。市场规模预计将从今年的511.02亿美元增长至2027年的870.32亿美元。


在这一过程中,受新型设备及大容量内容需求增加的带动,存储卡市场规模也将扩大。在存储卡中,microSD卡所占比重预计将从今年的88.4%提升至2027年的90.5%。



三星电子存储事业部品牌产品业务团队常务Son Hangu表示:“全新的microSD卡虽然只有指甲盖大小,但拥有堪比个人电脑存储装置SSD的高性能与大容量”,并称:“我们将展示能够满足即将到来的移动计算与端侧人工智能(AI)时代需求的高性能、大容量技术领导力。”


本报道由人工智能(AI)翻译技术生成。

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