UNIST教授团队权Soonyong开发可阻挡辐射中子屏蔽层

科研人员开发出一种能够更高效阻挡辐射中危险光束——中子——的方法。该方法可以以低成本应用于多种材料表面,有望推动中子屏蔽产业的发展。

用大面积轻质柔性材料屏蔽危险辐射 View original image

UNIST(校长 Lee Yonghoon)半导体材料与部件研究生院及新材料工程系的 Kwon Soonyong 教授团队开发出了一种能够阻挡辐射中中子的屏蔽膜。该屏蔽膜可用于大面积场合,且重量轻、柔性好。


辐射中所包含的中子在核电站、医疗设备以及航空航天产业中是不可或缺的。然而,一旦泄漏,中子会与其他原子发生相互作用,从而对电子设备或生物体引发难以预料的现象,是极其危险的粒子。


此次开发的中子屏蔽膜内部气泡孔洞仅有数十纳米大小,结构极为致密。也就是说,与以往使用的高分子基复合材料相比,它能够表现出更优异的力学性能。其制备过程不需要热处理等额外步骤,因此可以制造不含杂质的纯净混合结构体。



Kwon Soonyong 教授表示:“本次开发的 MAXINE–碳化硼复合屏蔽膜厚度仅为数十微米,比现有商用材料薄1000倍以上,并且像刷涂油漆一样就能轻松涂覆在各种表面上。”


本报道由人工智能(AI)翻译技术生成。

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