三星、SK海力士HBM发展到什么阶段了

by Park Sunmi

by Han Yeju

Published 27 Oct.2023 07:31(KST)

Updated 27 Oct.2023 13:37(KST)

open/close

②三大DRAM厂向HBM3E客户交付样品
三星电子推出“Shinebolt”
SK海力士不另起名以HBM3E正面应战

全球三大DRAM厂商三星电子、SK海力士和美光已完成最新第五代HBM DRAM——HBM3E产品的开发，并向英伟达等主要客户提供了样品。根据接单情况判断，最快明年上半年、最晚下半年，这三家公司都将进入HBM3E量产阶段。同时，它们也将启动面向第六代HBM——HBM4开发的相关准备工作。

三星电子近日在美国公开了命名为“Shinebolt”的HBM3E产品，并介绍称，该产品在每个数据输入输出引脚上可实现最高9.8Gbps的高性能。这一速度可每秒处理1.2TB以上的数据（相当于每秒处理40部容量为30GB的超高清电影）。通过对NCF（非导电粘合膜）技术进行优化，将芯片之间的空隙完全填充，实现高层数堆叠，并最大化热传导性能，从而改善了散热特性。

三星电子认为，由于HBM市场仍处于刚刚起步的阶段，从HBM3E开始有望掌握主导权。为减轻订购HBM的客户还需另行委托台积电等晶圆代工企业进行封装的麻烦，三星向订购Shinebolt的客户提出了破格条件，即提供与产品高度匹配的最尖端封装技术，并结合晶圆代工在内的一站式定制交钥匙（整体生产）服务。

SK海力士则强调其作为全球最早进入HBM市场并积累信赖的技术实力。由于HBM3E是HBM3的扩展版本，公司表示，在独家量产HBM3的过程中，已在速度这一人工智能专用存储器的核心指标，以及散热控制、客户使用便利性等各方面，达到了全球最高水准。

SK海力士的HBM3E每秒最多可处理1.15TB以上的数据。本次产品采用了最新技术MR-MUF工艺（在将半导体芯片堆叠后，为保护芯片与芯片之间的电路，将液态保护材料注入间隙并固化的工艺），使产品的散热性能较以往提升了10%。HBM3E还具备向下兼容性，客户在以上一代HBM3为前提构建的系统中，无需更改设计或结构即可应用这款新产品。

作为HBM市场的后进入者，美国美光也计划自2024财年（2023年9月~2024年8月）初开始量产HBM3E。其目标是实现约7亿美元的HBM3E年度销售额，相当于去年营收（307.58亿美元）的约2%。

全球三大DRAM企业在HBM开发和客户争夺方面全力以赴，是因为HBM市场正处于即将迎来爆发式增长的导入期，而且从产品单价来看，HBM与通用DRAM之间的差价至少在6~7倍，最高可超过10倍。即便HBM在整个存储器市场中的份额仅为1%，其单件产品的利润率也远高于普通存储器。以SK海力士为例，HBM在其整体出货量中仅占1%，但在营收中占比约10%~15%，在营业利润中则高达40%。也就是说，其单价是现有通用DRAM的10~15倍，而售出后获得的利润则相当于既有产品的40倍。

目前，以美洲地区为中心，HBM订单正蜂拥而至。自ChatGPT问世后，谷歌、Meta、亚马逊等企业纷纷进军人工智能市场，被视为人工智能“必需品”的HBM已成为供不应求的产品。SK海力士在前一日第三季度业绩发布后的电话会议上就表示，“明年生产的HBM已经全部售罄（sold out）”。通俗来说，就是尚未生产出的货物已经全部卖完。

AMD表示，用于年底即将发布的图形处理器（GPU）产品MI300X所需的HBM供应并不顺畅，正在通过多元化原有供需策略来寻找突破口。据悉，英伟达也将很快与主要供应商展开谈判，以追加锁定更多HBM供应量。