SK海力士专注推进先进工艺转型…明年加大战略性HBM投资（综合）
三季度将亏损收窄逾1万亿韩元
明年资本支出较今年增幅将降至最低
聚焦主力高附加值产品与先进工艺转型
成功实现D-RAM业务扭亏为盈的SK海力士表示，为了加快业绩改善速度，将在明年继续实施战略性投资。公司计划与其扩大整体资本支出（CAPEX），不如集中推进先进工艺转换，把资源投向高带宽存储器（HBM）等高附加值主力产品。对于未来5年年均最高可达80%高速增长的HBM市场，公司表示将通过最新产品HBM3E强化竞争力。
SK海力士在26日第三季度业绩发布后的电话会议上表示，明年资本支出将较今年有所增加，但会将增幅控制在最低水平。公司今年为应对人工智能用存储器需求增加而扩大资本支出，同时缩减其他领域投资。今年的资本支出计划较去年（19万亿韩元）削减逾50%。
明年为保持财务稳健，公司将与其扩大资本支出规模，不如围绕D-RAM 10纳米第四代（1a）、第五代（1b）工艺转换发力。计划在明年年底前，使1a、1b纳米产品的产量占整体的一半以上。不过，在HBM和硅通孔（TSV）等必需领域将扩大投资。TSV是指在D-RAM芯片上打出数千个微细孔并通过电极实现互连的先进封装技术。
对于自去年第四季度以来持续实施的减产，公司表示短期内将维持这一基调。SK海力士称：“考虑到当前NAND行业库存水平高于D-RAM，将在一段时间内对NAND维持保守的生产方针。”公司还表示：“产能利用率的恢复将根据市场情况逐步推进，要恢复到去年第四季度的产能（Capacity）水平，预计还需要相当长时间。”
在D-RAM方面，由于减产主要集中在比最新产品双倍数据速率（DDR）5更早一代的DDR4，供应端在上半年已出现DDR5在整体D-RAM中占比超过DDR4的“交叉”现象。公司表示：“需求端出现DDR5的交叉也将十分重要”，“从供应角度看，自本季度起已逐步出现DDR5供不应求的局面。”
截至第三季度末，库存较第二季度呈现出有意义的下降趋势。这是因为DDR5、低功耗双倍数据速率（LPDDR）5、HBM等高附加值产品的销售增加。公司说明称，下半年以来需求增加叠加减产效果愈发明显，预计年末库存将大幅下降。公司方面预测称：“以D-RAM为中心，明年上半年库存水平将恢复至正常区间。”
公司预计，HBM市场规模在未来5年将以年均60%至80%的速度增长。近期HBM需求持续增加，加之HBM产品世代转换速度加快，公司认为市场成长性较高。这也是公司不仅着眼于明年，还面向2025年，与客户及合作伙伴就技术协作和产能进行讨论的背景。公司预计，明年HBM在整个D-RAM市场中的占比将升至10%区间的中后段。
SK海力士方面表示：“继主力产品HBM3之后，已经开始向客户供应HBM3E样品”，“本公司HBM3E在速度、发热控制以及客户使用便利性等各方面都处于世界最高水平。”公司还表示：“包括HBM3和HBM3E在内的明年产能目前已全部售罄（Sold out）”，“据我们了解，本公司在HBM3E产能占有率方面处于绝对领先地位。”
另一方面，公司当天首次表明不同意日本铠侠与美国西部数据合并案的立场。公司表示：“综合考虑了对铠侠投资的价值等因素”，“可以明确的一点是，我们将作出有利于投资者、铠侠等所有利益相关方的选择。”由于SK海力士通过间接方式持有铠侠股份，因此对本次合并拥有同意权。
关于对华半导体设备出口管制，公司表示：“最近收到了美国政府关于‘VEU（验证最终用户）’的通知”，“今后无需另行办理出口许可即可（将设备）运入，从而消除了中国业务运营的不确定性。”VEU是指对事先批准的企业，就指定品目采用允许出口的综合许可方式。
公司方面表示：“中国晶圆厂（Fab，工厂）的运营战略，需要综合考虑今后的地缘政治形势、市场需求以及长期产线空间需求等因素，因此有必要进行多方面审慎研究”，“我们正在结合未来可利用的技术与产能配置（CAPA mix）以及客户需求，研究具体运用方案。”公司还补充称：“未来是否进行追加投资和运营调整，将在审视市场状况以及总部生产设施保障情况后作出决定。”
SK海力士第三季度合并基准销售额为9兆662亿韩元。该数值较上年同期减少17.5%，但较上一季度增长24.1%。第三季度营业亏损为1兆7920亿韩元，较上一季度（2兆8821亿韩元）减少逾1兆韩元，营业亏损率为20%。净亏损为2兆1847亿韩元。
版权所有 © 阿视亚经济 (www.asiae.co.kr)。 未经许可不得转载。
