[Peace & Chips]卧薪尝胆的三星电子…明年HBM3E重要性将提升

by Kim Pyeonghwa

Published 23 Oct.2023 06:30(KST)

明年存储业核心关键词是HBM
三星电子供应HBM3E“Shinebolt”样品
HBM3E能否交付英伟达成关键

编者按被称为现代产业“粮食”的半导体。几乎每天都能听到这个词，但真要张口解释时却往往无从说起。复杂难懂的半导体概念和整个产业脉络，就让“Peace&Chips”来轻松“喂到嘴边”。您只要“端好勺子”即可。

进入10月末，天气骤然转冷，更加让人感觉到一年即将结束。有人已经开始提前制定明年计划、订购日程本，半导体行业同样在翘首以待明年。由于从去年开始的半导体景气低迷持续到今年，行业正经历一段艰难时期。已有观点认为，明年行业将重新恢复活力。

尤其是今年负增长幅度较大的存储半导体市场，预计明年将快速反弹。和今年一样，明年存储行业的主要关键词仍将是“高带宽存储器（HBM）”。HBM是通过将多片动态随机存取存储器（DRAM）垂直堆叠，以提升数据处理速度的高性能存储器，由于通常与图形处理器（GPU）配套使用，因此被称为人工智能（AI）用存储器。

市场调研机构TrendForce评价称，在人工智能开发方面，今年和明年是重要的关键节点，并认为相关需求将大幅增加。预计明年人工智能服务器出货量将比今年增长38%。HBM按比特计算的供应量也将激增105%。在HBM市场中分庭抗礼的三星电子和SK海力士来说，这是拉升业绩的良好机会。

不过，也有观点对三星电子的HBM业务表示担忧，原因在于其与竞争对手SK海力士之间的业务差距。SK海力士正在向HBM市场“大客户”英伟达供应第四代HBM产品HBM3。近期还有消息称，下一代产品HBM3E也将供应给英伟达。相较之下，三星电子方面虽然计划向英伟达供应HBM3，但传出最终签约进程有所延迟的消息。

业界分析认为，SK海力士自第三代HBM产品（HBM2E）起引入“MR-MUF（Mass Reflow Molded Underfill，大规模回流成型底部填充）”工艺，提高了生产效率，可能由此带来了目前的结果。MR-MUF是指将多片DRAM置于同一空间加热后，再向芯片之间注入保护材料的一种生产方式。在HBM市场上英伟达影响力巨大的背景下，SK海力士抢占先机的效果被认为相当明显。

不过，市场上也出现了三星电子有望在年内开始供应HBM3的期待。现代汽车证券研究员Noh Geunchang表示，“从第四季度后半段起，（三星电子）将向英伟达供应HBM3，从而改善DRAM业务部门的业绩”。三星电子在高度化HBM生产技术的同时，细化了明年需求将正式爆发的HBM3E（Shinebolt）业务战略。目前正向客户交付HBM3E样品，今后还计划通过定制化一站式（Turnkey）服务实现差异化。

业界认为，三星电子能否向英伟达供应HBM3E，将成为今后评估其HBM业务的重要指标之一。TrendForce指出：“除当前主力产品HBM2E外，今年HBM3的需求占比正在上升”，“三大供应商（三星电子、SK海力士和美国美光科技）将在2024年至2025年陆续推出HBM3E产品，以提升人工智能加速芯片的性能”。