三星代工：“到2026年将完成2纳米车规芯片量产准备”

by Kim Pyeonghwa

Published 19 Oct.2023 20:00(KST)

发布车用下一代“eMRAM”5纳米规划
通过按客户需求定制量产引领未来汽车时代

三星电子在全球汽车产业重镇欧洲公布了其代工（半导体委托生产）业务愿景。公司计划在2026年前完成2纳米（nm，1nm为10亿分之一米）车载解决方案的量产准备，并通过扩大下一代车用产品生产组合等方式提升业务竞争力。

三星电子于当地时间19日在德国慕尼黑举办了“Samsung Foundry Forum 2023”（三星代工论坛2023）。继上月参加在慕尼黑举行的全球最大车展IAA之后，此次又在欧洲核心市场德国举办密切相关活动，扩大与欧洲客户的合作，并强化其在车载领域的合作伙伴地位。

去年7月在首尔三成洞COEX举行的“三星代工论坛2023”上，Samsung电子代工事业部社长 Choi Siyoung 进行主题演讲的情景 / Samsung电子提供

公司在此次活动上公开了先进工艺路线图以及按应用领域划分的代工战略。从2纳米工艺到基于8英寸晶圆的传统工艺，推出了多样化的定制化解决方案。Samsung Advanced Foundry Ecosystem（SAFE，三星先进代工生态系统）合作伙伴则通过展台展示分享技术趋势及发展方向。

Samsung Foundry事业部总裁 Choi Siyoung 表示：“我们将适时开发最优化于车用半导体市场的工艺，按照客户需求量产各阶段自动驾驶所需的人工智能（AI）半导体、电力半导体和微控制器单元（MCU）等产品”，并称“将凭借差异化的代工解决方案，引领电动车与自动驾驶汽车时代”。

构建车用下一代存储产品量产组合

三星电子计划在2026年前完成最先进2纳米车载解决方案的量产准备工作。同时，还将扩大下一代嵌入式M-RAM（embedded Magnetic Random Access Memory，嵌入式磁性随机存取存储器，eMRAM）以及8英寸BCD工艺（用于电力半导体生产的工艺）的产品组合。

eMRAM是一种基于高速读写性能、可在高温环境下稳定运行的车用下一代存储半导体。三星电子在2019年率先业界实现搭载基于28纳米eMRAM产品的量产。目前正以2024年为目标，开发基于鳍式场效应晶体管（FinFET）工艺的14纳米eMRAM。到2026年和2027年，公司计划将量产水平提升至eMRAM 8纳米和5纳米工艺。预计8纳米eMRAM与此前14纳米产品相比，集成度将提升约30%，速度将提升约33%。

三星电子还将把当前量产中的130纳米车载BCD工艺在2025年前扩展至90纳米。90纳米车载BCD工艺与130纳米相比，芯片面积有望缩小约20%。公司还计划通过提升电力半导体性能，将应用于车载解决方案的高电压从70伏特（V）提升至120伏特。适用于130纳米BCD工艺、支持120伏特的工艺设计套件（PDK）将于2025年对外提供。