三星电子·SK海力士脱离临时豁免
获单独许可，无需手续即可引进半导体设备
“半导体生产线运营不确定性消除”
美国决定对向中国出口半导体设备实施管制时，将韩国国内半导体企业在中国的工厂排除在外。三星电子和SK海力士表示，中国业务上的不确定性已经消除，作出积极回应，并表示将为稳定全球半导体供应链作出贡献。
9日，三星电子和SK海力士就向中国工厂引进半导体设备不再适用美国管制一事表示欢迎。美国从去年10月起对中国实施半导体设备出口管制，虽然对韩国国内企业给予1年的豁免期，但在业务不确定性较大的情况下，此次得以消除不确定性具有重要意义。
三星电子相关负责人表示：“通过各国政府间的紧密协商，围绕中国半导体生产线运营的不确定性在相当程度上得以消除。今后我们将继续与各国政府紧密协商，为确保全球半导体产业供应链安全尽最大努力。”
SK海力士相关负责人也表示：“美国政府决定延长出口管制豁免期限，将大大有助于稳定全球半导体供应链”，对此表示欢迎。他还表示：“今后将忠实遵守各国法律法规，为全球半导体产业发展竭尽全力。”
此前，总统府经济首席秘书Choi Sangmok当天下午在简报中表示：“美国政府已决定，向三星电子和SK海力士在中国的工厂供应美国产半导体设备时，无需另行履行许可程序，也不设定期限。”他还解释称：“此次决定在通知后立即生效。”
美国近期已表明，拟将三星电子、SK海力士在中国的半导体工厂指定为“经核实最终用户（VEU）”。所谓VEU，是指对事先获批企业的指定品目采用允许出口的综合许可方式。一旦被纳入VEU，无需就每一笔交易单独申请许可，出口管制的适用事实上将被无限期豁免。
半导体业界指出，上月美国敲定《芯片与科学法案》（CHIPS Act）中“护栏条款”后，关于在华业务的担忧已有所缓解，如今连设备出口管制也被排除在外，业界整体松了一口气。在中国半导体产量占比不低的情况下，美国与中国在半导体领域展开霸权竞争，业界此前面临的困难颇大。
美国去年10月规定，如向中国企业出售可生产以下尖端半导体的设备和技术，必须获得许可：采用鳍式场效应晶体管（FinFET）等技术的逻辑芯片（16纳米（nm，1nm为十亿分之一米）至14纳米及以下）、18纳米及以下动态随机存取存储器（DRAM）、128层及以上的闪存（NAND Flash）等。在此过程中，对在中国设有半导体工厂的三星电子、SK海力士以及台湾台积电（TSMC）等非中国企业给予了1年的管制豁免。
三星电子目前在中国西安和苏州分别运营闪存工厂和半导体后工序（封装）工厂。SK海力士在无锡设有DRAM工厂，在重庆设有后工序工厂；在大连还拥有从英特尔闪存事业部收购而来的闪存工厂。西安工厂承担着三星电子整体闪存产量的40%。无锡工厂和大连工厂合计生产SK海力士40%的DRAM和20%的闪存。
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