为规避美国半导体相关制裁的对策
中国政府补贴规模与美国相当
有报道称，被美国政府列入黑名单的中国信息技术企业华为在获得中国政府补贴支持的情况下，正秘密建设半导体制造设施。
美国《彭博通讯社》23日（当地时间）援引美国半导体产业协会（Semiconductor Industry Association）的说法报道，“华为自去年起就开始尝试自建半导体生产能力”。
半导体产业协会称，华为正从中国中央政府及深圳市获得约300亿美元（约40万亿韩元）的补贴支持。通过规避美国对尖端技术设备出口的制裁，谋求半导体自给自足的所谓“影子制造网络”。
据半导体产业协会介绍，华为近期已经收购了2家半导体工厂，并在新建3家工厂。此外，华为从政府获得的补贴规模，与此前美国行政当局通过的《芯片与科学法案》所编列的预算规模相当。
另外，根据半导体产业协会的测算，中国计划到2030年前后投资约1000亿美元（约132万亿韩元），新建23座半导体晶圆厂。由此预计，中国在同一年将占据全球28至45纳米半导体产量的一半以上。
此前，美国商务部已于2019年将华为列入黑名单。因此，华为在几乎所有尖端信息技术产业领域都无法再与美国企业开展合作。
不过，华为一直在通过第三方企业名义购买半导体制造设施或芯片等方式，寻找绕道路径。据传其以这种方式大量采购了美国生产的半导体和尖端制造设备。
针对半导体产业协会的主张，美国商务部工业与安全局（Bureau of Industry and Security）在一份声明中表示：“考虑到对华为、福建晋华、PXW等公司实施的严格限制，它们为尝试推进技术开发而寻求国家支持并不令人惊讶”，但同时强调：“工业与安全局将继续审查出口管制措施，正如去年10月7日公布的相关规定所示，我们不会犹豫，将采取适当行动保护美国国家安全”。
当时，美国行政当局实施了限制美国企业和个人支持在中国境内特定半导体制造设施开发和生产活动的出口管制措施，并对“特定半导体”的范围作出具体说明：16/14纳米及以下的逻辑半导体、128层以上的NAND闪存，以及制程在18纳米及以下的动态随机存取存储器（DRAM），均被纳入管制范围。
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