[个股聚焦]Sizetronix成功实现全依赖进口GaN外延晶圆国产化…有望成下一代半导体“游戏规则改变者”

专注于氮化镓（GaN）电力半导体的特化企业 Sijitronics 股价走强。市场认为，其构建了面向下一代电力半导体而备受关注的 GaN 化合物半导体外延晶圆材料国产化平台的消息，对股价产生了影响。GaN 化合物半导体相比既有硅半导体可承受约 2~3 倍以上的高电压，并且在高温环境下也能正常工作，具备这一优势。

截至21日下午2时22分，Sijitronics 股价报 2.33万韩元，较前一交易日上涨 18.82%（3690韩元）。

韩国纳米技术院利用第三代宽禁带（WBG）半导体中电力半导体特性突出的高效率 GaN 外延晶圆材料，在 6英寸硅晶圆上通过金属有机化学气相沉积法（MOCVD）进行制备，构建了 GaN on 硅（Si）外延材料平台，用于向此前完全依赖进口的国内产学研机构提供相关材料。

这一平台利用在国内生长的 GaN on Si 外延材料，由国内产业界在 6英寸衬底上制作电力用场效应晶体管（FET，Field Effect Transistor）器件，作为首个成果，确认了增强型（Enhance-mode）工作特性，具有重要意义。

技术院向与其共同执行“GaN 电力器件”研究课题的半导体器件制造企业 Sijitronics 提供了用于电力半导体制造的 6英寸 GaN on Si 外延材料衬底，从而首次实现了简化高效率电力转换系统设计的增强型（E-mode）电力半导体器件，取得相关成果。

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Sijitronics 在 GaN 电力半导体领域拥有独步性的技术实力。与既有硅半导体相比，GaN 电力半导体作为一种在高电压和高温环境下也能稳定工作、且对外部冲击也具有较强抗性的下一代电力半导体器件，备受关注。近期，该公司与全北大学半导体科学技术学科教授 Choi Cheoljong 团队共同成功开发了被视为引领全球半导体市场新潮流、但在韩国仍停留在基础开发阶段的氧化镓电力半导体新器件。相关成果已接近商业化阶段，市场对其寄予厚望。

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