明年HBM市场份额各达47%至49%
HBM3占比扩大至60%…带动营收增长
搭载HBM3E的英伟达GH200供应备受期待
有预测称，三星电子和SK海力士将在明年以相似的市场份额瓜分高带宽存储器（HBM）市场并展开竞争。随着HBM3在明年成为主力产品，两家公司有望凭借英伟达效应，进一步扩大后续产品HBM3E带来的收益。
9日，市场调研机构TrendForce预测，明年HBM市场中，三星电子和SK海力士的市场份额将分别达到47%至49%。该机构此前曾预计，两家公司今年的份额也将达到46%至49%，并判断明年双方仍将以相近的份额在市场上展开竞争。
此前，TrendForce曾预计，今年HBM市场中，SK海力士的份额为53%，三星电子为38%。但由于三星电子今年开始向云服务提供商（CSP）供应HBM产品，被认为将缩小双方的差距，TrendForce近日也据此对预测值进行了修正。
HBM是将多片DRAM垂直堆叠，以提升数据处理能力的高性能、大容量新一代存储器。近期在生成式人工智能扩散过程中，它与图形处理器（GPU）一起备受关注。虽然其价格比普通DRAM高出6倍以上，但由于需求大于供给，正在成为存储行业的重要“现金牛”（收益来源）。
预计明年HBM市场中，最新的第四代产品HBM3将成为主流。TrendForce认为，HBM整体需求中，HBM3的占比将从今年的39%跃升至明年的60%。由于HBM3的平均销售价格（ASP）较高，随着明年需求增长，HBM相关销售额也有望大幅增加。
市场对HBM3下一代产品HBM3E的期待也在不断升温。英伟达于8日（当地时间）在美国洛杉矶举行的全球最大计算机图形学大会“SIGGRAPH 2023”上发布了超级图形处理器（GPU）“GH200”。GH200是一款为生成式人工智能和高性能计算任务优化的产品，搭载HBM3E，计划于明年第二季度实现量产。
半导体业界认为，该产品所采用的HBM3E将由三星电子和SK海力士供应。三星电子已表示，将在下半年推出对应HBM3E的HBM3P产品。SK海力士也将明年上半年量产HBM3E作为目标。至于美国美光科技，虽然最近也开始投入HBM3E开发，但由于是后来者，短期内难以获得明显受益。
随着HBM需求增长，三星电子和SK海力士正集中精力扩大产能。三星电子计划在明年将HBM产能提高到目前的两倍以上。SK海力士也预告，将在明年的投资中把扩大HBM量产列为优先事项。
HBM3E之后的第六代产品HBM4的规划也在逐步具体化。三星电子在上个月举行的第二季度电话业绩说明会上表示，正在开发一种通过消除堆叠芯片之间空隙来克服HBM4厚度限制的技术。SK海力士则在同月的第二季度电话业绩说明会上表示，预计到2026年HBM4就有望实现商业化。
版权所有 © 阿视亚经济 (www.asiae.co.kr)。 未经许可不得转载。
