三星在美发布下一代内存解决方案
面向高性能数据中心SSD年内量产
随机写入性能提升2倍 能效提升60%
三星电子在美国举办的全球最大规模闪存行业会议上公开了多款下一代存储解决方案。公司展示了基于最新第8代V-NAND的大容量固态硬盘（SSD）新品，面向数据中心应用，并表示计划在年内实现量产。
当地时间8日，三星电子在美国加利福尼亚州圣克拉拉会展中心举行的“闪存峰会（Flash Memory Summit, FMS）2023”上参展，发布了面向服务器、个人电脑和车载等多种应用场景的最新存储解决方案和技术。
公司将当前存储市场面临的问题分为功耗、空间和性能三大类，并介绍了有望解决这些问题的下一代产品和技术，包括具备业界最高性能（以8通道为基准）的PCIe 5.0数据中心用SSD“PM9D3a”、已经应用于生成式人工智能（AI）服务器、具备高能效的“PM1743”，以及实现高集成度的“256TB SSD”。
PM9D3a是本次活动上首次公开的产品。该产品以8通道（SSD控制器可同时处理与NAND之间数据输入输出的单位）为基准，性能为业界最高，是基于PCIe（支持高速数据输入输出的串行接口规范）5.0的数据中心用SSD。
这款产品基于三星电子第8代V-NAND（推测为236层），顺序读写速度最高分别可达1.2万MB/s（每秒兆字节）和6800MB/s。随机读写速度分别为170万 IOPS（每秒输入输出次数）和40万 IOPS。与前一代产品相比，随机写入性能提升了2倍，能效提升约60%。
三星电子将把容量为7.68TB和15.36TB的PM9D3a产品，以2.5英寸规格在年内实现量产。明年上半年起，还将根据客户需求，推出从3.84TB及以下到最高30.72TB的多种外形规格和产品系列。
三星电子存储事业部副社长 Song Yongho 在以“提升客户体验的创新存储解决方案”为主题的主题演讲中表示：“今后也将把提升客户体验作为最优先的价值”，“通过与客户开展全方位合作，将持续努力，提供最优化的存储解决方案”。
三星电子还通过在FMS设立的演示展台，公开了与Meta共同开发的开源基础“用户工作负载控制解决方案”，以及基于标准NVMe规范的“灵活数据放置（Flexible Data Placement, FDP）”解决方案。FDP是一项在多用户环境中按用户群体区分并存储数据的技术，有助于延长存储器寿命，从而降低总体拥有成本（Total Cost of Ownership, TCO）。
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