“设施投资270万亿·研发200万亿” 三星半导体成绩单如何
三星电子·SK海力士·美光
2012~2022年投资与营业利润统计
设备投资与营业利润占比相近
研发三星遥遥领先…存储业务略显逊色
三星电子在过去10年间向半导体设施投资约26.7万亿韩元,在研究与开发(R&D)方面投入超过19.6万亿韩元。在研发规模上压倒竞争对手。但业界评价认为,与投入规模相比,产出成绩并不令人完全满意。
9日,对存储半导体行业“三强”——三星电子、SK海力士以及美国美光过去10年(2012年至2021年)的设施投资规模和营业利润进行统计后发现,相比设施投资规模,三家企业的营业利润占比差异并不大。在此期间,三星电子(包括存储与系统半导体在内的DS部门)录得212万亿韩元营业利润,SK海力士为79万亿韩元,美光为70万亿韩元。同一时期的设施投资规模分别为:三星电子26.7万亿韩元,SK海力士10.9万亿韩元,美光9万亿韩元。若将营业利润与设施投资之比换算为百分比,三星电子为79%,美光为77%,SK海力士为72%。虽然差距不大,但可以解读为三星电子比其他企业更高效地进行了设备投资。
此外,与只经营存储业务的其他公司不同,三星电子半导体设施投资费用中还包含系统半导体业务成本。三星电子在存储半导体领域是遥遥领先的第一名,但在系统半导体业务上却是追赶台湾台积电(TSMC)的后发企业,相比之下,投入与收益的匹配度不如存储业务。即便如此,三星电子半导体整体设备投资的利润率仍高于其他公司。这意味着三星电子存储业务相对于设备投资的利润率要高于目前数据中所呈现的水平。
但从研发费用来看,三星电子相对于投入的营业利润占比低于其他公司。三星电子公告的公司整体研发费用在10年间累计为19.6万亿韩元。三星电子方面表示,“推算在全部费用中,投入半导体业务的比例应在60%以上”。这意味着至少约11.8万亿韩元被投入半导体业务。以此为基准计算,营业利润占研发费用的比例为180%。如果用于半导体业务的研发费用更多,则该占比还会进一步降低。相反,SK海力士在10年间投入2.8万亿韩元研发费用,营业利润占比达到277%。美光同样在10年间投入2.8万亿韩元研发费用,营业利润占比为251%,高于三星电子。通俗来讲,可以认为SK海力士和美光在研发投资方面比三星更为高效。当然,考虑到三星电子不仅从事存储半导体,还为代工(半导体委托生产)业务投入了大量研发费用,实质上的存储业务研发投入与营业利润之比应高于180%。
从研发与设施投资合计总成本对应的营业利润占比来看,三星电子为55%,是三家中最低的;SK海力士为57%,美光为59%。虽然差距不算大,但由于三星电子在研发上的投入较多,其营业利润占比在三家公司中垫底。由于三星电子同时开展存储和系统半导体业务,在提升技术实力的过程中,相较其他公司可能在研发上投入了更多成本。尤其是在代工市场,三星正与该领域第一名企业台湾台积电围绕5纳米(nm,十亿分之一米)及以下的先进制程展开竞争。在存储方面,由于不断演进的计算系统等带来的技术需求变化,公司也从中长期视角致力于获取下一代技术。为了在系统与存储业务中都占据主要玩家的位置,三星正在集中进行研发投资。这也是三星在近期半导体景气不佳的情况下,仍强调扩大研发投资规模的背景所在。
不过,也有评价认为,与三星电子迄今为止投入的大规模研发费用相比,最近显现的成果略显逊色。其主要依据是,近来在双倍数据速率(DDR)5动态随机存取存储器(DRAM)、高带宽存储器(HBM)等高附加值新市场中,SK海力士的表现尤为抢眼。Eugene投资证券研究员 Lee Seungwoo 和 Lim Sojeong在近期报告中就此表示:“在新技术、新增长领域,三星过去那种压倒性的竞争力和‘三星风格’的表现已经减弱”,“市场对三星半导体在质量和数量两个层面上是否仍然是世界最强的质疑正在加深”。
尤其是在HBM领域,三星电子曾通过推出第二代和第三代产品HBM2、HBM2E等扩大市场份额,但在最新的第四代产品HBM3上却落后于SK海力士。目前,SK海力士是唯一实现HBM3量产并向图形处理器(GPU)企业英伟达(Nvidia)供货的公司。市调机构TrendForce预测,今年HBM市场上,SK海力士的市场份额将从去年的50%提高到53%,正是基于这一背景。三星电子预计为38%,美光预计为9%。
对此,三星电子计划在年内实现HBM3量产的同时,推出第五代产品HBM3P,加快业务扩张步伐。三星电子存储事业部副社长 Kim Jaejun表示:“将通过明年的扩产投资,把HBM产能提高到至少是今年的两倍以上。”
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