三星电子今年第二季度执行了7.2万亿韩元的研究开发（R&D）投资，金额超过营业利润的10倍，在半导体寒潮中继续进行面向未来增长的投资布局。
27日，三星电子在发布最终业绩的同时公开的第二季度研发及设施投资规模分别为7.2万亿韩元和14.5万亿韩元。自去年底开始的半导体景气低迷之下，包括SK海力士、Micron、台积电（TSMC）、英特尔（Intel）等半导体竞争企业纷纷缩减设备投资，但三星电子通过持续推进创纪录规模的研发及设施投资，为半导体景气反弹做准备。
三星电子第二季度研发投资金额7.2万亿韩元，较去年第二季度投资的6.25万亿韩元增加15.2%，创下历史最高纪录。这一金额也超过第二季度6685亿韩元营业利润的10倍。
三星电子去年实施了24.9万亿韩元、史上最大规模的研发投资。今年上半年仅研发投资就已达到约14万亿韩元，因此今年全年研发投资规模很可能超过去年。事实上，三星电子是每年持续扩大研发投资的企业之一。在全球2500家企业中纳入统计的41家韩国企业整体研发投资中，三星电子所占比重高达49.1%。
三星电子在业绩持续恶化的情况下，第二季度仍执行了14.5万亿韩元的设施投资，创下同期历史最高纪录。与去年第二季度执行的12.3万亿韩元相比增加18%，是历史上第三大规模的设施投资。
三星电子上半年通过设施投资共支出25.3万亿韩元，较去年上半年的20.2万亿韩元增加约5万亿韩元。考虑到存储半导体投资与去年保持类似水平，可以判断，投资增加部分大多集中于晶圆代工半导体投资。为快速而灵活地响应市场和客户需求，三星电子正在京畿道平泽和美国泰勒建设晶圆代工半导体洁净室。
另一方面，三星电子今年上半年仅在半导体部门就出现了8.94万亿韩元的亏损。由于半导体部门持续出现亏损，三星电子在第一、第二季度连续两个季度的单季营业利润均不足1万亿韩元。但三星电子如同以往一样，坚持在半导体越是低迷时越要持续进行大胆投资的“超越性差距”战略，以此引领全球半导体市场。通过积极的研发及设施投资，不仅要巩固在DDR5、HBM等高性能存储器市场的领导地位，还计划在预计将快速增长的人工智能（AI）、高性能计算（HPC）、车载半导体等下一代半导体市场中牢牢掌握主导权。三星电子DS部门负责人（社长）Kyung Kyehyun近日也表示：“只有通过投资，企业才能想象新的创新，因此在如今这样的经济低迷期，投资更加重要”，“在经济困难时期大胆推进创新的企业，才会在趋势反转时登上顶峰”。
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