在三星电子、SK海力士等存储半导体企业开始减产的影响下，有观点认为三季度DRAM平均销售价格（ASP）跌势将趋于缓和，与此同时，部分DRAM现货价格自本月起已开始正式反弹。三星电子在今年4月发布一季度业绩时正式宣布减产。业内人士此前预计，减产后经过3至6个月将开始显现效果。也就是说，自三星电子加入减产行列满3个月之际，半导体价格已经出现变化迹象。
19日，据台湾市场调研机构DRAMeXchange统计，DDR4 16Gb（1G*16）DRAM现货价格当日上午报2.950美元，已接近3美元。此前价格在本月6日跌至2.903美元，自6日为拐点开始反弹，17日一度升至2.962美元。价格上涨的交易日远多于下跌日，且涨幅超过2%。DDR4 16Gb今年1月初的成交价仍在3.824美元，随后经历持续下跌，至5月时甚至跌破3美元区间。
DDR4 16Gb并非存储半导体企业生产的主力DRAM产品线。由于容量较大，主要用于高端PC等高价电子产品，而非通用产品。但业内认为，DDR4 16Gb产品现货价格的上涨，是半导体减产效果开始显现的信号。因为存储半导体企业的减产主要集中在非最尖端的传统（旧制程）产品线上，因此更有可能先在面向消费者的产品上体现效果，而非面向企业的产品。也有观点指出，既然DDR4 16Gb产品已经开始反弹，其他DRAM产品现货价格的反弹也值得期待。
实际上，在半导体市场上，已经出现这样的说法：受存储半导体企业减产影响，DRAM供应短缺将在今年三季度开始显现，并在明年全年持续。
市场调研机构TrendForce表示，与今年一、二季度DRAM供应量大于需求量的情况不同，三、四季度将出现需求超过供应的局面，预计今年全年DRAM供应短缺率将达到1.19%。在DRAM供应增速为-2.03%的情况下，需求增速有望超过7%。
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该机构还判断，明年供应增速为10.90%，需求增速为12.98%，届时全年DRAM供应短缺率可能达到3.01%。SK证券分析师Han Donghee表示：“下半年供应商减产效果加速显现，有望带动其他产品现货价格的全面反弹。考虑到供应商追求盈利能力的策略，从三季度开始供应量将很难再超过需求量，同时，由于今年DDR5转换速度加快导致资本支出缩减，2024年的供给应对能力也将受到限制。”
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