因被控泄露与最新半导体超微细工艺相关的国家核心技术和营业秘密等，三星电子一名前员工在二审中被判处实刑。
据首尔中央地方检察厅信息技术犯罪搜查部（部长检察官 Lee Seongbeom）17日消息，首尔高等法院于本月14日以违反《不正当竞争防止法》及《产业技术保护法》等罪名，判处前三星电子工程师 Choi 某（44岁）有期徒刑1年6个月，并处罚金1000万韩元，当庭收监。
Choi 某被控在三星电子工作期间，企图向海外竞争企业英特尔泄露包含代工半导体核心技术的文件而被移送审判。调查结果显示，正在准备跳槽至英特尔的 Choi 某，在外部阅览了33个与最新半导体超微细工艺相关的文件后，对其进行拍摄并非法带走。
检方曾求处 Choi 某有期徒刑5年及罚金1亿韩元，但一审法院判处其有期徒刑1年6个月、缓刑2年，并处罚金1000万韩元。检方随后提出上诉。
检方表示，今后也将对国家核心技术及营业秘密泄露犯罪迅速而严格地予以应对。
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