三星电子半导体三季度减产效果可期
三星电子二季度半导体亏损收窄
内存行业减产效果预计三季度正式显现
“DS部门精准人事调整，有望提升竞争力”
在三星电子缩小第二季度半导体部门亏损幅度之后，市场对其在第三季度将享受存储芯片减产效果的期待正在升温。业内预测存储器价格跌幅将收窄，加之三星电子计划正式扩大包括HBM3（第四代HBM产品）在内的高附加值存储器的量产，业绩改善预期进一步增强。
7日，三星电子公布了按合并基准计算的第二季度初步业绩。销售额为60万亿韩元，同比减少22.28%。营业利润为6000亿韩元，同比大减95.74%。这一水平高于证券业界此前给出的2818亿韩元预测值。
原本被认为可能出现赤字的三星电子第二季度业绩之所以能“守住阵地”，被分析为源于其缩小了设备解决方案部门（半导体）的亏损幅度。半导体业界认为，三星电子第二季度在设备解决方案部门将存储器亏损较上一季度有所收窄，营业亏损规模预计在3万亿至4万亿韩元区间。第一季度则录得4.85万亿韩元的营业亏损。
进入第二季度后，存储器价格跌幅有所收窄，同时三星电子增加了高带宽存储器（HBM）、双倍数据速率（DDR）5动态随机存储器等高附加值产品的出货量，由此带来积极效果。业内认为，三星电子第二季度动态随机存储器按比特计算的出货量增长率（比特增长率）较第一季度有望提升约20%。
从下半年开始，存储器行业的减产效果将全面显现，预计也会对业绩产生积极影响。此前，三星电子继SK海力士和美国美光之后，于4月初正式宣布减产。由于连存储器行业龙头三星电子也加入减产行列，自第三季度起，存储芯片库存有望减少，价格跌幅也可能大幅收窄。SK证券研究员Han Donghee表示：“三星电子的存货减值损失有望迅速缩小。”
业内此前已出现关于存储器价格跌幅将收窄的预测。市场调研机构TrendForce近期发布报告称，第三季度动态随机存储器和NAND闪存的平均销售价格将较第二季度最多仅下跌5%和8%。与此前预测第二季度价格分别可能下跌18%、15%的展望相比，跌幅明显缩小。
三星电子从下半年起将正式扩大包括HBM3（第四代HBM产品）在内的高附加值存储器的量产，这一因素也有望为业绩提供支撑。近日，三星电子设备解决方案部门负责人（社长）Kyung Kyehyun表示：“HBM3正获得客户的高度评价”，“HBM3和HBM3P预计在明年将为设备解决方案部门利润增长作出贡献。”HBM3P为第五代产品，三星电子计划在年内推出。
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三星电子本月初通过设备解决方案部门非定期人事及组织架构调整，展现出抢占“超差距”技术的决心，这一点也被视为利好因素。三星电子任命动态随机存储器设计专家、副社长Hwang Sangjoon为存储器事业部动态随机存储器开发室室长，并任命副社长Jung Gitae为晶圆代工事业部首席技术官（CTO）。KB证券研究员Kim Dongwon表示：“通过更换动态随机存储器及晶圆代工部门开发总负责人等‘精准人事’，有望提升竞争力。”
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