[Peace & Chips]三星关注的下一代功率半导体
三星电子2025年量产下一代功率半导体
氮化镓与硅材料工艺兼容性高
TSMC、UMC、DB Hitek等晶圆代工竞争加剧
三星电子近日公开了代工(半导体委托生产)新业务计划。公司在美国硅谷举办“Samsung Foundry 2023”活动时,首次宣布将启动 8 英寸氮化镓(GaN)功率半导体代工服务。
功率半导体主要用于智能手机、家电等各类电子设备中,对电力进行转换、分配和控制。由于能向设备提供适宜的电力,因此可以减少不必要的电力消耗,从而节省用电并延长设备电池续航时间。在电动车、通信以及新能源领域,功率半导体的应用前景尤为突出。
相比传统的硅(Si)材料,人们更加期待使用碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)等化合物材料制造的功率半导体发挥更大作用。所谓化合物,是指与硅这种单一元素不同,由两种及以上元素结合而成的物质。采用化合物材料,可以在高温、高电压和高频环境下最大化发挥功率半导体的性能。
尤其是 GaN,是由镓(Ga)和氮(N)结合而成的化合物,具有耐高温的特性。同时,它在信号转换和处理速度方面表现出色,在提升节能效果方面也具有很大优势。与硅材料相比,GaN 更容易实现器件小型化,这也是一大优点。由于与既有硅工艺的兼容性较高,相比 SiC,企业在技术切入上也更为容易。
不过,目前相关技术尚未完全成熟,采用化合物材料的功率半导体生产仅能在 6 英寸(150㎜)、8 英寸(200㎜)晶圆上进行。晶圆尺寸越大,可生产的半导体芯片就越多,电路集成度也越高。以硅材料半导体为例,目前主要在 12 英寸(300㎜)晶圆上生产。
在代工领域,行业龙头台湾台积电(TSMC)已经在量产采用 GaN 材料的功率半导体。台湾联华电子(UMC)、美国 GlobalFoundries 以及韩国 DB HiTek 等企业也都在推进相关业务,或处于技术研发阶段。由于这一领域有望成为下一代“粮食”,不少企业都虎视眈眈,积极布局。
三星电子计划自 2025 年起正式进军 8 英寸 GaN 功率半导体代工业务。不仅面向消费类产品,还将面向数据中心和车载(汽车电子)等多种应用领域,承接客户订单并启动量产。
半导体业界认为,今后若要提升 GaN 功率半导体业务的竞争力,在技术开发的同时,人才储备也是一大课题。尤其是对化合物材料而言,生产环节被认为比设计更为困难,因此迫切需要能够熟练处理这类苛刻材料的专业工程师。市场竞争越激烈,围绕人才的争夺就会越白热化。
市场调研机构 Yole Development 预测,GaN 功率半导体市场规模将从 2021 年的 1.26 亿美元增长到 2027 年的 20 亿美元,年均增幅达 59%。在这样一个快速扩张的市场中,值得持续关注相关企业将陆续推出的各类业务动向。
本文为《亚洲经济》每周推出的专栏《Peace&Chips》内容。点击订阅即可免费接收文章。
☞点击订阅
版权所有 © 阿视亚经济 (www.asiae.co.kr)。 未经许可不得转载。