SK海力士凭借移动DRAM与材料国产化成果获“SUPEX追求奖”

by Kim Pyeonghwa

Published 31 May.2023 10:22(KST)

“SUPEX追求奖”设立创新奖、协同奖两大奖项

SK海力士31日表示，在首尔钟路区瑞麟洞SK集团总部举行的“SUPEX追求奖”颁奖典礼上，在多家成员公司员工出席的情况下，公司多名员工荣获创新奖和协同奖。

SUPEX追求奖是SK集团内最具权威的奖项，授予通过全新挑战实现创新的成员公司员工。其中，创新奖是根据在技术创新方面为集团树立榜样的挑战与成果案例评选，协同奖则是根据通过协作取得成果的案例来决定获奖对象。

SK海力士表示，公司DRAM开发部门的副社长 Lee Sangkwon、副社长（Fellow） Kwon Eoneo、组长 Hong Yunseok、组长 Cho Seongkwon，以及未来技术研究院的组长 Son Yunik，凭借在移动用DRAM“低功耗双倍数据速率（LPDDR）5”开发上的成果，获得了创新奖。

SK海力士于去年11月全球首次在LPDDR中导入高K金属栅极（HKMG）工艺，开发出性能较现有LPDDR5更高的LPDDR5X。又在今年1月成功开发出与LPDDR5X相比运行速度快13%的LPDDR5T。

在“SUPEX追求奖”颁奖典礼上获得创新奖的SK海力士员工与SK集团会长Choi Taewon（左起第四位）合影留念。 SK海力士提供

HKMG工艺是一项下一代工艺技术，在DRAM晶体管内部的绝缘膜中采用介电常数（K）较高的材料，以阻断漏电流并改善电容（Capacitance）。其优点是在提升速度的同时还能降低功耗。

组长 Son Yunik 表示：“将HKMG工艺应用于LPDDR，与其说是开发一项新技术，不如说是在改变既有范式，因此是一次巨大的挑战”，并称：“多亏了成员自发协作以及为发挥最高能力而努力的SUPEX精神，才得以取得此次成果。”

协同奖由SK海力士与SK Materials Performance的员工共同获得。在SK海力士方面，因在半导体工艺核心材料——极紫外线光刻胶（EUV PR）国产化方面作出贡献，EUV材料技术副社长（Fellow） Kim Jaehyun、FAB原材料采购副社长 Yun Hongseong、未来技术研究院副社长（Fellow） Gil Deokshin、组长 Son Minseok 获奖。