广岛工厂引进EUV光刻设备
日本补贴投入产线扩充
自2026年起生产尖端半导体
据《日本经济新闻》18日报道,美国半导体制造商美光科技将向日本投资5000亿日元(约4.8443万亿韩元),计划在广岛县引进最先进的半导体生产设备。
美光科技首席执行官(CEO)Sanjay Mehrotra当天上午出席了在日本首相官邸举行的七家外国大型半导体企业负责人座谈会,与岸田首相会面,并公布了上述投资计划.
美光计划在2025年前向其广岛工厂引进用于超微细半导体工艺、不可或缺的极紫外光(EUV)曝光设备,并从次年开始转入最尖端半导体的量产。日本政府拟对设备引进提供一定额度的补贴,但美光方面并未透露具体支持金额。
Mehrotra CEO就决定在日本投资的理由表示:“只有在日本和台湾这两个基地同时供应下一代半导体,才能满足日益增长的全球半导体需求”,“我们认为,日本政府在下一代技术的开发和生产方面提供支持至关重要”。
美光拟在日本引进的EUV曝光设备,将用于通过光照在晶圆上绘制电路的曝光工序。EUV曝光设备相比普通设备具有更短的光波波长,能够更精细地描绘电路,因此能否拿到该类设备直接关系到企业的竞争力。为此,由日本八家大企业共同出资成立的半导体合资公司“Rapidus”也在为获取EUV曝光设备而全力以赴,去年11月还与美国IBM以及位于比利时的研究机构IMEC缔结了技术合作协议。
彭博社就美光此次决定评价称,这是日本政府推进半导体产业高端化以来取得的首个具体成果。此前,日本政府还向全球最大半导体晶圆代工企业——台湾台积电(TSMC)在熊本县建设半导体工厂提供了4760亿日元的补贴。
此外,也有分析认为,在围绕半导体产业的地缘政治紧张不断加剧的背景下,美光的投资将为七国集团(G7)强化以美国为中心的半导体供应链计划增添助力。
调研机构Omdia分析师Akira Minamikawa向彭博社表示:“美光的广岛工厂将在七国集团(G7)强化半导体供应链的雄心中发挥核心作用。”
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