三星电子业界首发开发“CXL 2.0 DRAM”

三星电子12日表示，已开发出业界首款支持 CXL（Compute Express Link，计算快速互连）2.0 的 128GB CXL DRAM。

三星电子继去年5月全球首发基于 CXL 1.1 的 CXL DRAM 之后，仅用一年时间又开发出支持 CXL 2.0 的 128GB DRAM。

图片由三星电子提供

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此次产品支持 PCIe 5.0（x8 通道），可提供最高 35GB/s 的带宽。三星电子计划在年内实现“CXL 2.0 DRAM”的量产，并将根据下一代计算市场的需求，推出多种容量的产品，从而加速扩展 CXL 生态系统。

CXL DRAM 可与主内存 DRAM 共存，并实现带宽和容量扩展，因此在人工智能、机器学习等需要高速数据处理的下一代计算市场中备受关注。

三星电子的“CXL 2.0 DRAM”是业内首款支持“内存池化（Pooling）”功能的产品。“内存池化”是指在服务器平台上将多个 CXL 内存捆绑构建成一个内存池，由多个主机从该内存池中按需分配并使用内存的技术。该技术可以在没有闲置区域的情况下充分利用 CXL 内存的全部容量。客户若将该技术应用于数据中心，将能够更高效地使用内存，从而降低服务器运营成本；同时，节省下来的运营成本有望再投入到服务器内存上，形成良性循环结构。

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Samsung Jeangseok（三星电子存储事业部新业务企划组组长常务）表示：“三星电子作为 CXL 联盟董事会（BoD）成员，一直引领 CXL 技术发展”，“今后将通过与数据中心、服务器、芯片组等领域的全球企业合作，进一步扩展 CXL 生态系统。”

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