[Peace and Chips]年均最高增长45%…三星·海力士“HBM半导体”战云密布
AI时代“高带宽内存(HBM)”成引擎
SK海力士份额领先,三星电子紧追
两家公司均公布HBM3后续产品规划
下半年HBM市场竞争将更加激烈
伴随ChatGPT的热潮,记忆体半导体领域有一颗新星迅速崛起,这就是“高带宽存储器(HBM)”。为了支撑需要处理海量数据的人工智能(AI),服务器必须搭载图形处理器(GPU)以及高性能·大容量内存,这时就会用到HBM。
HBM是存储器品类中D-RAM的一种。名称是“High Bandwidth Memory”的缩写,其中带宽(Bandwidth)指的是数据传输能力。如果把内存比作数据仓库,那么带宽就是通往仓库道路的宽度。HBM相比普通D-RAM大幅提升了带宽,从而加快数据传输速度。
HBM通过将多片D-RAM垂直堆叠来实现上述功能,为此需要用到硅通孔(TSV)技术。TSV是指在D-RAM芯片上打出微小孔洞,再用电极将上层和下层芯片连接起来的技术。另一种存储器品类——通过垂直堆叠存储单元来增加容量的NAND闪存,也会用到这一技术。
目前HBM市场规模约占整个D-RAM市场的1.5%。虽然眼下仍是小众市场,但成长潜力巨大。市场调研机构TrendForce预计,从今年起到2025年,HBM市场规模的年均增速最高将超过45%。也就是说,人工智能时代越是全面展开,HBM的使用场景就会越多。
目前进入HBM市场的企业有三星电子、SK海力士以及美国的美光。根据TrendForce统计,以去年为基准,SK海力士(50%)、三星电子(40%)、美光(10%)依次占据市场份额。今年SK海力士的占有率有望提高到53%。
SK海力士在2013年全球首家开发出HBM。此后陆续推出第1代(HBM)—第2代(HBM2)—第3代(HBM2E)—第4代(HBM3)产品,持续推进技术开发。目前量产中的HBM3,其技术力已获得认可,达到可以向GPU行业龙头英伟达供货的水平。
据悉,SK海力士很快还将推出HBM3的下一代型号——HBM3E。SK海力士D-RAM营销负责人Park Myeongsu在上周业绩发布后的电话会议上表示:“今年下半年将准备8千兆比特每秒(Gbps)的HBM3E产品样品”,并预告将于明年上半年实现量产。
三星电子则已向市场推出HBM3样品,并完成量产准备。目前看起来略落后于SK海力士,但今后似乎要正式展开追赶。三星电子也在上周的电话会议上表示,“计划在下半年推出HBM3P产品”,预告将很快推出HBM3的下一代产品。
HBM3E和HBM3P仅在末尾所加的英文单词不同,被视为同一代产品。当然,细节规格可能会存在差异。SK海力士采用的是“Extended”的首字母E,三星电子则采用“Plus”的首字母P来命名产品。下半年起,国内半导体“双雄”之间的技术竞争将更加激烈,值得持续关注。
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