据彭博通讯社20日援引消息人士报道,中国代表性存储芯片企业长鑫存储科技计划在今年内推进规模超过19万亿韩元的首次公开募股(IPO)。在美国针对中国的半导体监管日益收紧的背景下,外界关注此次IPO是否能按计划推进。
报道称,长鑫存储的目标是于今年在中国上海证券交易所纳斯达克风格的科创板(Star Board)上市。目前,长鑫存储正在遴选承销商,IPO规模尚未最终确定。据悉,长鑫存储希望通过本次IPO获得超过1000亿元人民币(约合19.2万亿韩元)的估值。
长鑫存储是为掌控存储芯片市场而获得国家投资的企业之一,站在中国半导体崛起的最前沿。虽然其成为中国首家成功量产动态随机存取存储器(DRAM)的企业,但目前在全球市场的占有率尚不足1%。当前DRAM市场主要由韩国的三星电子、SK海力士以及美国美光等企业主导。
不过,长鑫存储的IPO能否顺利推进,仍有待观察。原因在于美国针对中国的半导体监管持续加码。彭博社指出:“在拜登政府阻止中国企业获取从软件到制造设备在内的各类尖端技术的情况下,投资者将如何看待此次IPO仍不明朗。”
此前,美国在去年12月将中国半导体企业长江存储科技列入黑名单,以限制中国在先进三维(3D)NAND闪存制造方面的能力。长江存储在遭到美国制裁前,曾与苹果就为iPhone供应芯片进行过磋商。不仅如此,美国的制裁还曾令华为的智能手机业务几近瘫痪。
据彭博社报道,长鑫存储相关负责人拒绝就IPO计划发表评论,仅表示目前正专注于研发和核心业务。
本报道由人工智能(AI)翻译技术生成。
版权所有 © 阿视亚经济 (www.asiae.co.kr)。 未经许可不得转载。