Choi Jin-hyuk出任Miju Memory研究所长发表主题演讲
AI性能越强大 内存技术课题越多
“将以开发下一代内存产品引领市场”
三星电子在一场讨论人工智能（AI）存储半导体技术动向的全球学术会议上，集中展示了多款下一代产品，并表示今后将致力于开发多样化产品，引领存储市场范式变革。
三星电子表示，当地时间28日参加了在美国加利福尼亚举行的“MemCon 2023”。MemCon是为深入探讨与AI相关的存储解决方案而于今年首次举办的学会。三星电子半导体事业（DS部门）以MemCon创始合作伙伴（Founding Partner）的身份出席本次活动，谷歌和微软等全球企业也到场参会。
三星电子半导体美洲存储研究所（DSRA-Memory）所长、副社长 Choi Jinhyuk 在本次大会上以“数据中心时代的存储创新”为主题发表了主旨演讲，介绍了可解决各类DRAM和NAND闪存“存储墙（Memory Wall）”问题的创新解决方案以及三星电子的存储技术愿景。所谓存储墙，是指随着处理器速度与存储访问时间之间差距不断扩大而产生的性能瓶颈现象。
Choi 副社长介绍的下一代存储解决方案包括：▲在高性能存储中内置计算功能的“HBM‑PIM（Processing in Memory，存内计算）” ▲在存储附近执行计算功能的“PNM（Processing Near Memory，近存计算）” ▲可将系统内存容量扩展至TB级的“CXL（Compute Express Link）DRAM” ▲强化固态硬盘（SSD）内部计算功能的“第二代SmartSSD” ▲提升服务器系统空间利用率的“PB级存储（Petabyte Storage）” ▲面向AI与机器学习的专用“Memory Semantic SSD”等。
Choi 副社长指出，随着GPT（Generative Pre‑trained Transformer，生成式预训练变换模型）技术持续发展，训练数据量和模型规模急剧增加，由此导致模型训练和推理所需的硬件成本不断攀升。他解释称，像ChatGPT这类大规模模型中，由于存储瓶颈导致的延迟部分超过80%，因此也会出现文本生成速度被拖慢的问题。
Choi 副社长表示，如果采用HBM‑PIM技术，与搭载传统HBM的图形处理器（GPU）加速器相比，AI模型生成性能有望提升约3.4倍以上。此外，如果应用基于CXL的PNM技术，与现有GPU加速器相比，DRAM容量可增加4倍，AI模型加载速度则有望提升2倍以上。
三星电子计划顺应AI发展带来的不断增长的市场需求，持续开发并推出多种下一代存储解决方案，以推动存储产业发展，同时还将加强与全球信息技术企业的合作，表达了要主导存储范式变革的抱负。
据市场调研机构Gartner统计，去年AI半导体市场规模同比增长27.8%，达到444亿美元，预计到2026年将增至861亿美元。
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